[实用新型]半导体器件

说明书

本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所述N型半导体层，所述P型电极在穿过所述钝化保护层后被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层。自所述N型电极注入的电流经所述N型半导体层的扩展后流入所述发光层，自所述P型电极注入的电流经所述P型半导体层和所述电流扩展层的扩展后流入所述发光层，电流在所述发光层进行复合后使所述半导体器件产生光线。

技术领域

本实用新型涉及一半导体芯片，特别涉及一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中所述半导体器件的发光效率能够被大幅度地提高。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的半导体器件的发光原理是利用N型半导体层和P型半导体层间移动的能量差以光的形式释放能量而发光的，与现有的白炽灯、荧光灯等现有的照明光源相比，半导体器件具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，其被广泛地应用在照明、显示和背光等领域。

半导体器件包括依次层叠的衬底、N型半导体层、发光层以及P型半导体层，一个N型电极被电连接于N型半导体层，一个P型电极被电连接于P型半导体层，电流能够经N型电极被注入N型半导体层和在被N型半导体层扩展后进一步注入发光层，相应地，电流能够经P型电极被注入P型半导体层和在被P型半导体层扩展后进一步注入发光层，自N型半导体层和P型半导体层注入发光层的电流能够在发光层复合而产生光线。由此可见，半导体器件的发光效率受限于N型半导体层和P型半导体层的电流扩展效果。然而，由于P型半导体层(例如P型氮化镓层)的电导率比较差，为了改善P型半导体层的电流扩展效果，通常在P型半导体层之上采用透明导电层来进行电流苦战，例如ITO、ZnO膜层等，其中透明导电层既要起到透明和电流扩展的效果，又要与P型半导体层形成欧姆接触。但是，仅采用透明导电层扩展被注入P型半导体层的电流的方式仍然存在着较多的缺陷，例如电流无法被有效地扩展到P型半导体层的边缘而导致在越接近半导体器件的边缘的位置，越容易出现电流扩展死角的问题，进而导致半导体器件的发光不均匀，出现在半导体器件的边缘亮度偏暗和在半导体器件的中部亮度偏亮的不良现象。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中所述半导体器件能够均匀地发光，以提高所述半导体器件的发光效率。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中所述半导体器件能够均匀地发光，以避免出现在所述半导体器件的边缘偏暗和在所述半导体器件的中部偏亮的不良现象。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中电流能够均匀地分布于所述半导体器件的P型半导体层，以有利于使所述半导体器件均匀地发光。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中电流能够自所述P型半导体层的中部被扩展到边缘或者电流能够自所述P型半导体层的边缘被扩展到中部，以有利于电流均匀地分布于所述P型半导体层。

本实用新型的一个目的在于提供一半导体器件及其制造方法和提高半导体芯片的发光效率的方法，其中所述半导体器件的钝化保护层不仅能够起到保护所述半导体器件的作用，而且还能够起到阻挡电流的作用，相对于现有的半导体器件来说，本实用新型的所述半导体器件不需要电流阻挡层，从而不仅能够减少所述半导体器件的制造工序，而且还能够有效地降低所述半导体器件的制造成本。

依本实用新型的一个方面，本实用新型提供一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，其中所述半导体器件进一步包括：