[实用新型]一种LED散热结构有效

专利信息
申请号: 201920017491.9 申请日: 2019-01-07
公开(公告)号: CN209341205U 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 崔彭禹;高增军;陈天安;高向 申请(专利权)人: 崔彭禹
主分类号: F21V29/51 分类号: F21V29/51;F21V29/89;F21V17/10;F21V29/71;F21Y115/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 散热器 熔点 底面平板 锡膏 本实用新型 低温锡膏 高温锡膏 散热结构 传统光学模块 导热界面材料 导热 填充材料层 中间基板层 灯具结构 界面材料 热量传递 散热效率 线路基板 线路板 线路层 散热 省略 减去 热阻 焊接 紧凑
【权利要求书】:

1.一种LED散热结构,包括散热器,其特征在于,散热器上部设有底面平板,底面平板上设有线路层,底面平板上安装有LED芯片,LED芯片用高温锡膏焊接在底面平板上,底面平板的厚度不小于3毫米,底面平板包括但不限于底板、平板热管或均温板,底面平板用低温锡膏固定在散热器其他部件上,高温锡膏和低温锡膏采用不同熔点温度的锡膏,高温锡膏和低温锡膏的熔点相差10℃以上。

2.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述底面平板与散热器之间通过SMT焊接或者通过螺丝固定连接。

3.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述LED芯片通过SMT方式焊接在线路基板上。

4.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述LED芯片通过高温锡膏焊接到线路基板上。

5.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述焊接方式选用回流焊或真空回流焊或共晶焊。

6.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述LED芯片通过高温锡膏焊接,所述底面平板通过低温锡膏焊接到散热器其他部件上。

7.根据权利要求1所述的LED散热结构,其特征在于,所述底面平板为散热器上表面平层或焊接在散热器上表面的板状结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于崔彭禹,未经崔彭禹许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920017491.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top