[实用新型]正装半导体发光器件有效
申请号: | 201920036329.1 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN209471991U | 公开(公告)日: | 2019-10-08 |
发明(设计)人: | 陈慧;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人: | 李高峰;孟湘明 |
地址: | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体发光器件 第一端部 绝缘层 正装 第二端部 宽度方向延伸 透明导电层 外延单元 电极组 电连接 扩展部 穿过 本实用新型 依次层叠 | ||
1.一正装半导体发光器件,其特征在于,包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部,其中所述电极组包括:
一N型电极,其包括一N型电极焊盘和至少一N型电极扩展部,其中所述N型电极焊盘于所述第二端部层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元,其中所述N型电极扩展部自所述N型电极焊盘向所述第一端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸,并且所述N型电极扩展部在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元;和
一P型电极,其包括一P型电极焊盘和至少一P型电极扩展部,其中所述P型电极焊盘于所述第一端部层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元,其中所述P型电极扩展部自所述P型电极焊盘向所述第二端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸,并且所述P型电极扩展部在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层。
2.根据权利要求1所述的正装半导体发光器件,其中所述N型电极扩展部以向所述正装半导体发光器件的边缘方向延伸的方式向所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸,相应地,所述P型电极扩展部以向所述正装半导体发光器件的中部方向延伸的方式向所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸。
3.根据权利要求1所述的正装半导体发光器件,其中所述N型电极扩展部以向所述正装半导体发光器件的中部方向延伸的方式向所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸,相应地,所述P型电极扩展部以向所述正装半导体发光器件的中部方向延伸的方式向所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸。
4.根据权利要求2所述的正装半导体发光器件,其中所述N型电极包括一个所述N型电极扩展部,其于所述正装半导体发光器件的中部向所述正装半导体发光器件的两侧边缘方向延伸,其中所述P型电极包括两个所述P型电极扩展部,其分别于所述正装半导体发光器件的边缘向所述正装半导体发光器件的中部方向延伸。
5.根据权利要求4所述的正装半导体发光器件,其中所述N型电极扩展部包括一N型电极扩展条、一列第一N型电极延伸触角、一列第二N型电极延伸触角以及两列N型电极连接针,其中所述N型电极扩展条于所述正装半导体发光器件的中部自所述N型电极焊盘向所述第一端部方向延伸,其中一列所述第一N型电极延伸触角和一列所述第二N型电极延伸触角分别自所述N型电极扩展条向所述正装半导体发光器件的两侧边缘方向延伸,其中两列所述N型电极连接针分别在穿过所述绝缘层后自一列所述第一N型电极延伸触角和一列所述第二N型电极延伸触角延伸至和被电连接于所述外延单元。
6.根据权利要求5所述的正装半导体发光器件,其中每个所述P型电极扩展部分别包括一P型电极扩展条、一列第一P型电极延伸触角以及一列P型电极连接针,其中所述P型电极扩展条于所述正装半导体发光器件的边缘自所述P型电极焊盘向所述第二端部方向延伸,其中一列所述第一P型电极延伸触角分别自所述P型电极扩展条向所述正装半导体发光器件的中部方向延伸,其中一列所述P型电极连接针分别在穿过所述绝缘层后自一列所述第一P型电极延伸触角延伸至和被电连接于所述透明导电层。
7.根据权利要求6所述的正装半导体发光器件,其中每个所述P型电极扩展部分别包括一列第二P型电极延伸触角和另一列所述P型电极连接针,其中一列所述第二P型电极延伸触角分别自所述P型电极扩展条向所述正装半导体发光器件的边缘方向延伸,其中一列所述P型电极连接针分别在穿过所述绝缘层后自一列所述第二P型电极延伸触角延伸至和被电连接于所述透明导电层。
8.根据权利要求7所述的正装半导体发光器件,其中一列所述第一N型电极延伸触角和一列所述第二N型电极延伸触角相互对称。
9.根据权利要求8所述的正装半导体发光器件,其中一列所述第一P型电极延伸触角和一列所述第二P型电极延伸触角相互对称。
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