[实用新型]正装半导体发光器件

说明书

本实用新型公开了一正装半导体发光器件，其包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部，其中所述电极组一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的N型电极焊盘形成于所述第二端部，所述N型电极的N型电极扩展部自所述N型电极焊盘向所述第一端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元，其中所述P型电极的P型电极焊盘形成于所述第一端部，所述P型电极的P型电极扩展部自所述P型电极焊盘向所述第二端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，以在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层。

技术领域

本实用新型涉及一半导体芯片，特别涉及一正装半导体器发光器件。

背景技术

由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有高亮度、体积小和耗电量低等优点，因此，发光二极管被视为新一代的照明工具，并且在近年来，发光二极管在更多领域也得到了迅速的应用和普及。但是，由于现有的发光二极管的半导体芯片仍然存在着发光效率低的问题，因此，如何提高发光二极管的半导体芯片的发光效率已经成为了当今科研领域最重要的课题之一。图1和图2分别示出了现有的半导体芯片的剖视状态和俯视状态，其中该半导体芯片由台面刻蚀(MESA)、制作透明导电层1P(ITO)、制作钝化层2P以及制作金属电极3P四道工艺组成，钝化层2P介于金属电极3P和透明导电层1P之间，且钝化层2P上采用开孔设计，金属电极3P与透明导电层1P之间通过金属电极3P手指下方的钝化层2P上的通孔实现电连通，进而促使电流进行扩展。该半导体芯片虽然能够减少一道电流阻挡层的光刻工艺，但是，在现有的该半导体芯片中，P型半导体层4P的表面的电流的扩展仅通过PN电极间距及钝化层2P上的开孔设计实现，电流扩展效果欠佳，仍需提高电流扩展能力来均匀化该半导体芯片的表面电流。

实用新型内容

本实用新型的一个目的在于提供一正装半导体发光器件，其中所述正装半导体发光器件的电流扩展效果能够被改善，以有利于保证所述正装半导体发光器件的发光效率。

本实用新型的一个目的在于提供一正装半导体发光器件，其中所述正装半导体发光器件提供至少一N型电极扩展部和至少一P型电极扩展部，其中所述N型电极扩展部自所述正装半导体发光器件的第二端部向第一端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向扩展电流，所述P型电极扩展部自所述正装半导体发光器件的第一端部向第二端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向扩展电流，通过这样的方式，能够改善所述正装半导体发光器件的电流扩展效果。

本实用新型的一个目的在于提供一正装半导体发光器件，其中通过提供所述N型电极扩展部和所述P型电极扩展部的方式能够提高大尺寸的所述正装半导体发光器件的电流扩展效果。

依本实用新型的一个方面，本实用新型提供一正装半导体发光器件，其包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部，其中所述电极组包括：

一N型电极，其包括一N型电极焊盘和至少一N型电极扩展部，其中所述N型电极焊盘于所述第二端部层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元，其中所述N型电极扩展部自所述N型电极焊盘向所述第一端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，并且所述N型电极扩展部在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元；和

一P型电极，其包括一P型电极焊盘和至少一P型电极扩展部，其中所述P型电极焊盘于所述第一端部层叠于所述绝缘层和在穿过所述绝缘层后被电连接于所述外延单元，其中所述P型电极扩展部自所述P型电极焊盘向所述第二端部和所述正装半导体发光器件的宽度方向延伸，并且所述P型电极扩展部在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层。