[实用新型]处理腔室中的RF接地条

说明书

本实用新型涉及一种在处理腔室中使用的接地条，所述接地条包括：核心主体；和铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围；其中所述铝层具有超过15μm的厚度。此外，提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基座，所述基座布置在所述内部空间中，用于在其上支撑基板；至少一个接地条，所述至少一个接地条连接在所述腔室主体和所述基座之间；其中所述至少一个接地条包括：核心主体；和具有超过15μm厚度的铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围。

技术领域

本实用新型大致关于一种在半导体处理腔室中使用的零件，更具体地说，本实用新型涉及一种在处理腔室中的RF接地条。

背景技术

电子装置的制造过程中通常会使用到各种半导体处理腔室进行不同的处理。为了进行例如沉积、蚀刻、溅镀等等各种处理，处理腔室通常需要耦合至RF电源，用于在处理区域中产生等离子体。

在进行处理期间，设置在处理腔室中的基板支撑件需要适当的作RF接地，使得来自RF电源的功率能够形成回路，以确保不会有压降通过基板支撑件表面而影响沉积均匀性。如果基板支撑件没有适当的RF接地，则会导致形成于基板上方处理区域中的等离子扩散在基板支撑件的侧边或下方，而造成非所欲的沉积。因此，通常在例如基板支撑件的基座和腔室主体之间设置一或更多个接地条，以利于将来自RF电源的功率在基板支撑件处作RF接地。

在处理腔室中，用于支撑基板于其上的基座需要进行上下的移动，使得基板能够顺利传送进出腔室，且可调整基板与等离子体之间的距离。因此，用于基板支撑件的一或更多个RF接地条通常选择具有弹性的金属材料，使得RF接地条能够在基座上下移动的情况下，仍保持与基座和腔室主体之间的连接。然而，RF接地条在处理期间不断传送来自RF电源的高频率和高功率，以及在基座上下移动期间受到挤压，而容易发生弹性疲乏、弯折或甚至断裂的不良结果。当出现不同曲率的弯折尖角或者断裂的情况时，来自RF电源的电荷将容易聚集或累积于此处，不但会使得RF接地条的部分区域温度升高，且在断裂的区域更容易受到等离子体的腐蚀，而阻碍了RF接地条发挥接地的作用。

如此，现有的RF接地条需要非常频繁地进行检查和替换，才能避免失效的RF接地条存在于处理腔室中，而对处理中的基板造成不利的影响。此外，频繁的检查和替换不但耗费材料成本且需要花费时间人力，进而延长了处理腔室的停机时间，降低了整体的处理生产率。

因此，本领域中存在对于RF接地条进行改良的需求。

实用新型内容

本实用新型为了解决上述现有技术中的缺点，提供了对处理腔室中的RF接地条改良的技术。

根据本实用新型，在一个实施例中，揭示一种在处理腔室中使用的接地条，所述接地条可包括：核心主体；和铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围；其中所述铝层具有超过15μm的厚度。核心主体可为具有在0.1mm和0.2mm范围的厚度的合金。在某些实施例中，核心主体为基于镍的合金。或者，核心主体可为具有0.1mm厚度的铬镍铁合金，或具有0.1mm厚度的Haynes 242合金。在一个实施例中，核心主体可以Chronin合金形成。铝层的厚度可在超过15μm至20μm的范围中，或在介于50μm和100μm的范围中。在一个实施例中，铝层的厚度可为18μm。至少一个通孔可布置在所述核心主体中，且所述铝层完全覆盖所述至少一个通孔的侧壁。

在另一个实施例中，揭示一种处理腔室，所述处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体界定内部空间；基座，所述基座布置在所述内部空间中，用于在其上支撑基板；至少一个接地条，所述至少一个接地条连接在所述腔室主体和所述基座之间；其中所述至少一个接地条包括：核心主体；和具有超过15μm厚度的铝层，所述铝层涂在并且覆盖所述核心主体的周围。腔室主体可通过盖、侧壁、和底板形成，且所述至少一个接地条可连接在所述腔室主体的所述底板和所述基座之间。