[实用新型]利用导电性金属结构体的半导体封装有效
| 申请号： | 201920053964.0 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN209843696U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 崔伦华;崔淳性 | 申请（专利权）人： | JMJ韩国株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 11421 北京天盾知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡凯 |
| 地址： | 韩国的京畿道富*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 导电性金属 结构体 半导体封装 本实用新型 粘接层 焊料 夹具 电性连接特性 金属间化合物 引线框架引线 金属结构体 电性连接 既定区域 生产性 有效地 柱子 | ||
1.一种利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，包括：
半导体芯片；
铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；
导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，
并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。
2.根据权利要求1所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述金属间化合物以所述铝平板的境界面为基准在高度300um以内的区域散布。
3.根据权利要求1所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述金属间化合物是以所述铝平板的境界面为基准在高度20um以内的区域稠密地分布。
4.根据权利要求1至3中某一项所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
如果通过所述第2粘接层粘接之前，铝平板的厚度为不小于M1至不大于M2时，通过第2粘接层粘接后，铝平板的厚度为0至不大于(2/3)×M2。
5.根据权利要求4所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
通过第2粘接层粘接后，铝平板的厚度为0至不大于4um。
6.根据权利要求1至3中某一项所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述导电性金属结构体是其一端与所述铝平板结合的夹具结构体。
7.根据权利要求1至3中的某一项所述的利用导电性金属结构体的半导体封装，其特征在于，
所述导电性金属结构体是一侧与所述铝平板结合的柱子结构体，所述柱子结构体的另一侧与基板连接。
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