[实用新型]利用导电性金属结构体的半导体封装

说明书

本实用新型涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片与引线框架引线形成电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。即，本实用新型包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。

技术领域

本实用新型涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片和引线框架引线电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。

背景技术

一般而言，半导体封装由半导体芯片、引线框架(或基板)、封装主体构成，半导体芯片附着于引线框架的平板上，并且，将金属线焊接而与引线框架的引线电性连接。

但，以往的利用金属线的堆叠封装是利用金属线进行电性的信号交换，因此，速度较慢，并使用较多数量的金属线，因此，各个芯片发生电特性劣化。并且，为了形成金属线，需要在基板上附加面积，而使得封装的大小增加，并且，在各个芯片的焊接平板上需要用于焊接金属线的间隙(Gap)，而使得封装的整体高度不必要地增大。

从而，本发明人提供的专利第1208332号、实用新型第0482370号、专利第1669902号、专利第1631232号提供了一种利用金属的夹具(clip)结构体，而具有相比以往的利用金属线的半导体封装更优秀的电连接性能和容易热释放、热稳定性优秀、更有效的封装结构。

尤其，公开专利第10-2017-0086828号(利用金属凸块的夹具焊接半导体芯片封装)公开了一种在半导体芯片的焊接平板上突出形成金属凸块，并在其上面结合夹具的构成。但，上述的先行技术，在焊接平板的上形成金属凸块时，需要执行金属线熔融、溅射、电镀、丝网印刷等工艺，因此，存在生产性降低的问题，并且，所述金属凸块的材质由容易焊接的铜(Cu)或金(Au)的材质形成，因此，金属凸块和焊接平板因相互不同的膨胀系数，使得结合力降低，电连接特性不良。

实用新型内容

实用新型要解决的技术问题

本实用新型为了解决上述的问题而提出，提供一种利用导电性金属结构体的半导体封装，其无需使用以往的金属凸块等另外的金属材料，而在半导体芯片的上端的用于焊接的金属平板上直接焊接导电性金属结构体，从而，能够划时期地减少生产费用和制造工艺，并提高夹具与半导体芯片的结合力。

解决问题的技术方案

本实用新型为了实现上述目的，提供一种利用导电性金属结构体的半导体封装，包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。

所述第2粘接层的金属间化合物中含有铝(Al)，所述铝对于整体金属间化合物100重量份占有2至30重量份。

所述第2粘接层的金属间化合物中含有铝(Al)，所述第2粘接层是对于整体金属间化合物100重量份含有80重量份以上的锡和10至20重量份的铝。

所述金属间化合物以所述铝平板的境界面为基准在高度300um以内的区域散布。

所述第2粘接层的金属间化合物中含有铝(Al)，所述第2粘接层对于整体金属间化合物100重量份含有80重量份以上的铅和2至20重量份的铝。

所述金属间化合物是以所述铝平板的境界面为基准在高度20um以内的区域稠密地分布。