[实用新型]一种新型磁控溅射工艺混流装置

说明书

本申请公开了一种新型磁控溅射工艺混流装置，混流桶的上下方分别连通有进气管，下层进气管位于上层进气管之间，混流桶的上方通过螺栓安装有桶盖，桶盖的顶部通过螺钉安装有伺服电机，伺服电机的下方连接有混流器，混流器的上方为连接轴，混流器的下方为螺旋状的混流桨，混流桨的侧面设有固定环，固定环处穿接有导风条并通过铆钉固定，混流桶的左侧连通有压气罐，压气罐的下方连通有气缸，气缸的上方通过螺纹副安装有压头，压头与压气罐的底部之间通过螺丝安装有风琴式伸缩罩，压气罐的内侧上方焊接有内压桶，内压桶的表面设有若干进气口。本申请使得气体混合的更加充分，不仅便于混合后的气体快速排出，还保证了气体排出的稳定性。

技术领域

本公开一般涉及气体混流装置领域，具体涉及一种新型磁控溅射工艺混流装置。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。在磁控溅射的生产工艺中，会释放出很多诸如氩气、氧气和氮气之类的工艺气体，这些气体混合后，会被分配到阴极的整个工作区域，而这些气体由于密度不同，在混合时，往往会出现混合不均匀的现象，排出速度又慢，这将会影响到工艺的稳定性和生产效率。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种新型磁控溅射工艺混流装置。

第一方面，气体混合的更加均匀，同时排出速度快、稳定性又高，

根据本申请实施例提供的技术方案，一种新型磁控溅射工艺混流装置，包括混流桶和支架，所述混流桶的上下方分别连通有进气管，下层所述进气管位于上层所述进气管之间，所述混流桶的上方通过螺栓安装有桶盖，所述桶盖的顶部通过螺钉安装有伺服电机，所述伺服电机的下方连接有混流器，所述混流器的上方为连接轴，所述混流器的下方为螺旋状的混流桨，所述混流桨的侧面通过铆钉固定有导风条，所述混流桶的左侧连通有压气罐，所述压气罐与所述混流桶之间为一体成型式结构，所述压气罐的下方连通有气缸，所述气缸的上方通过螺纹副安装有压头，所述压头与所述压气罐的底部之间通过螺丝安装有风琴式伸缩罩，所述压气罐的内侧上方焊接有内压桶，所述内压桶的表面设有若干进气口，所述内压桶的直径大于所述风琴式伸缩罩的直径，所述内压桶的上方内侧焊接有弹簧，所述内压桶的顶部设有出气管，所述出气管穿过所述压气罐的顶部，所述出气管的上方侧面安装有安全阀，所述压气罐和所述混流桶焊接在所述支架的上方内侧，所述气缸的下方为缸筒，所述缸筒的底部通过螺杆安装在所述支架的左侧，所述支架的中下方为连接杆，所述缸筒位于所述连接杆的左上方。

本申请中，所述混流桶和所述压气罐为金属材质，所述压气罐的直径小于所述混流桶的直径，所述支架为金属架。

本申请中，所述进气管位于所述混流器的左右两侧，上层所述进气管和下层所述进气管的长度相等，下层所述进气管的顶部位于上层所述进气管底部的上方。

本申请中，所述混流器的连接轴与所述伺服电机输出轴的键槽连接，所述连接轴与所述混流桨之间为一体成型式结构。

本申请中，所述导风条共有若干条，材质为聚四氟乙烯，所述压气罐与所述混流桶之间设有连通腔。

本申请中，所述气缸的上方为推杆，所述压头位于所述推杆的顶部，所述压头的直径小于所述风琴式伸缩罩的直径。