[实用新型]一种封装结构及包含该封装结构的发光装置有效
| 申请号： | 201920114168.3 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN209487533U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黄乙晴;李昱达;潘汉昌;陈书伟 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 文小莉;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 阻隔层 容纳腔体 导电基板 发光元件 发光装置 封装层 封装架 容纳腔 黑化 体内 本实用新型 硫化物 电性连接 硫化银 光衰 填充 抵抗 覆盖 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包含：
一发光元件；
一封装架，其中，所述封装架内具有容纳腔体，所述发光元件设在所述容纳腔体中，且电性连接所述容纳腔体内设置的导电基板；
一阻隔层，所述阻隔层设置在所述容纳腔体中且至少覆盖在所述导电基板上，且所述阻隔层的厚度不高于20μm；以及
一封装层，所述封装层填充在所述容纳腔体内且位于所述阻隔层上。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层的厚度至少为4μm。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层的层数为至少一层。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层为单层，且所述单层的厚度不高于5μm。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层的层数为三层，且所述三层的总厚度至少为14μm。
6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层的层数为三层，且所述三层的总厚度为14.9μm。
7.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层为采用硅氧化合物制成的膜层。
8.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，所述封装架包括围设在所述导电基板外周的围坝，所述导电基板和所述围坝的内表面围成所述容纳腔体，且所述围坝的内侧壁上覆盖有所述阻隔层。
9.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，所述阻隔层覆盖所述发光元件。
10.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，所述发光元件通过焊线与所述导电基板的导电引脚电性相连，且所述阻隔层覆盖所述焊线和所述导电引脚。
11.根据权利要求1-6任一所述的封装结构，其特征在于，还包括：透镜，所述透镜设置在所述封装结构的出光面上，且所述透镜朝向所述封装层的一面向内凹陷形成与所述发光元件正对的弧形腔体以及围绕所述弧形腔体设置的空隙部，以使投射到所述空隙部侧壁上的光线经过反射后向外射出。
12.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述空隙部靠近所述弧形腔体的一侧侧壁向外凸起呈弧形侧壁。
13.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述空隙部的顶端在竖直方向上低于所述弧形腔体的顶端。
14.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述空隙部的内壁上形成凹凸结构。
15.根据权利要求11所述的封装结构，其特征在于，所述空隙部的内壁上设有薄膜层。
16.一种发光装置，其特征在于，包含：至少一个上述权利要求1-15任一所述的封装结构。
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