[实用新型]一种封装结构及包含该封装结构的发光装置

说明书

本实用新型提供一种封装结构及包含该封装结构的发光装置，所述封装结构包含：一发光元件；一封装架，其中，所述封装架内具有容纳腔体，所述发光元件设在所述容纳腔体中，且电性连接所述容纳腔体内设置的导电基板；一阻隔层，所述阻隔层设置在所述容纳腔体中且至少覆盖在所述所述导电基板，且所述阻隔层的厚度不高于20μm；以及一封装层，所述封装层填充在所述容纳腔体内且位于所述阻隔层上，本实施例提供的封装结构实现了封装结构抵抗硫化物的目的，有效避免了封装结构黑化的现象，解决了现有封装结构中由于生成硫化银使得封装结构黑化而造成光衰的问题。

技术领域

本实用新型涉及一种发光领域，特别涉及一种封装结构及包含该封装结构的发光装置。

背景技术

发光二极管(light emitting diode简称：LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。近年来，发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此其应用领域已扩展至大型户外看板、交通号志灯及相关领域。在未来，发光二极管甚至可能成为兼具省电及环保功能的照明光源主流。为使发光二极管可靠性佳，发光二极管多会经过一封装制程而形成耐用的发光装置。

目前，发光二极管封装时，如图1所示，封装架10’内设有导电基板，导电基板设有两个间隔设置的导电引脚40’，LED芯片置于导电引脚40’上，且发光二极管20’与导电引脚40’之间通过焊线进行连接，然后向封装架10’内灌胶形成封装层30’，封装层30’覆盖在发光二极管20’以及导电引脚40’上，完成发光二极管20’的封装。

然而，上述封装结构在含硫浓度较高的环境以及特定火山区域旁使用时，由于空气中硫浓度过高，使得硫易进入到封装架内且与导电基板上的镀银层发生反应生成硫化银，造成封装架外观呈现黑化区域，从而加速LED光衰，极大影响了LED的使用寿命。

有鉴于此，如何改善上述的缺失，为业界待解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述问题，本实用新型的目的在于提供一种封装结构及包含该封装结构的发光装置，实现了封装结构抵抗硫化物的目的，有效避免了封装结构黑化的现象，解决了现有封装结构中由于生成硫化银使得封装结构黑化而造成光衰的问题。

为达上述目的，本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包含：

一发光元件；

一封装架，其中，所述封装架内具有容纳腔体，所述发光元件设在所述容纳腔体中，且电性连接所述容纳腔体内设置的导电基板；

一阻隔层，所述阻隔层设置在所述容纳腔体中且至少覆盖在所述导电基板上，且所述阻隔层的厚度不高于20μm；以及

一封装层，所述封装层填充在所述容纳腔体内且位于所述阻隔层上。

较佳地，所述阻隔层的厚度至少为4μm。

较佳地，所述阻隔层的层数为至少一层。

较佳地，所述阻隔层为单层，且所述单层的厚度不高于5μm。

较佳地，所述阻隔层的层数为三层，且所述三层的总厚度至少为14μm。

较佳地，所述阻隔层的层数为三层，且所述三层的总厚度为14.9μm。

较佳地，所述阻隔层为采用硅氧化合物制成的膜层。

较佳地，所述封装架包括围设在所述导电基板外周的围坝，所述导电基板和所述围坝的内表面围成所述容纳腔体，且所述围坝的内侧壁上覆盖有所述阻隔层。

较佳地，所述阻隔层覆盖所述发光元件。

较佳地，所述发光元件通过焊线与所述导电基板的导电引脚电性相连，且所述阻隔层覆盖所述焊线和所述导电引脚。