[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

基底；

重新布线层，所述重新布线层位于所述基底的上表面；其中，所述重新布线层包括：

金属柱，所述金属柱位于所述基底的上表面；

介质层，所述介质层位于所述基底的上表面，所述介质层包覆所述金属柱，且所述介质层中包括沟槽，所述沟槽的宽度小于所述金属柱的宽度，通过所述沟槽显露所述金属柱的上表面；

金属种子层，所述金属种子层覆盖所述介质层的上表面以及所述沟槽的底部及侧壁；

金属层，所述金属层填满所述沟槽并覆盖位于所述介质层上的所述金属种子层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述基底上包括多层所述重新布线层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述沟槽深宽比的范围包括0.01～1。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属柱的宽度范围包括20μm～200μm。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属层包括填满所述沟槽的第一子金属层及覆盖位于所述介质层上的所述金属种子层的第二子金属层；其中，所述第二子金属层的宽度范围包括5μm～500μm，所述第二子金属层的厚度范围包括0.5μm～5μm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属柱与所述金属层所构成的截面形貌包括工字形貌。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述介质层的厚度范围包括5μm～30μm。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属柱包括铜金属柱、铝金属柱、银金属柱、铬金属柱、钛金属柱、钽金属柱、钼金属柱及钕金属柱中的一种或组合；所述金属层包括铜金属层、铝金属层、银金属层、铬金属层、钛金属层、钽金属层、钼金属层及钕金属层中的一种或组合。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述金属柱与所述金属层采用相同材料。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述介质层包括光敏性聚酰亚胺(PI)聚合物薄膜、聚苯并噁(PBO)聚合物薄膜、苯并环丁烯(BCB)聚合物薄膜、环氧树脂(EMC)薄膜、硅胶薄膜、氧化硅薄膜、磷硅玻璃薄膜及含氟玻璃薄膜中的一种或组合。