[实用新型]改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器和双工器

权利要求书

1.一种改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块，所述介质块上开设有一排贯通孔，所述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层，在平行于贯通孔轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层；所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面，所述内导体层和外导体层通过短路面导电连接；所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面，所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层，所述电路局部导体层与内导体层导电连接；所述开放面上还设有两个端子局部导体层，分别为端子局部导体层一和端子局部导体层二；所述介质块上形成外导体层的其中一个外表面上设有两个绝缘部，所述两个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成信号输入端子和信号输出端子，所述信号输入端子和信号输出端子分别与端子局部导体层一和端子局部导体层二导电连接，其特征在于：所述端子局部导体层一或/和端子局部导体层二设置在相邻两电路局部导体层之间；所述开放面上还设有端子延伸导体层，所述端子延伸导体层与端子局部导体层一或/和端子局部导体层二导电连接。

2.如权利要求1所述的改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器，其特征在于：所述介质块为横卧放置的长方体结构，所述一排贯通孔水平横向设置在长方体结构的介质块上。

3.如权利要求1所述的改善带外抑制的陶瓷电介质滤波器，其特征在于：所述电路局部导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子局部导体层一和端子局部导体层二均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子延伸导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。

4.一种改善带外抑制的陶瓷电介质双工器，包括由陶瓷材料成型的一体式介质块，所述介质块上开设有一排贯通孔，所述一排贯通孔的轴线平行、并列；每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层，在平行于贯通孔轴线的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层；所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面，所述内导体层和外导体层通过短路面导电连接；所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面，所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层，所述电路局部导体层与内导体层导电连接；所述开放面上还设有三个端子局部导体层；分别为端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三，所述介质块上形成外导体层的其中一个外表面上设有三个绝缘部，所述三个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成发射端子、接收端子和天线端子，所述发射端子、接收端子和天线端子分别与端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三导电连接，其特征在于：所述端子局部导体层一或/和端子局部导体层二设置在相邻两电路局部导体层之间；所述开放面上还设有端子延伸导体层，所述端子延伸导体层与端子局部导体层一或/和端子局部导体层二导电连接。

5.如权利要求4所述的改善带外抑制的陶瓷电介质双工器，其特征在于：所述介质块为横卧放置的长方体结构，所述一排贯通孔水平横向设置在长方体结构的介质块上。

6.如权利要求4所述的改善带外抑制的陶瓷电介质双工器，其特征在于：所述电路局部导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子局部导体层一、端子局部导体层二和端子局部导体层三均为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层；所述端子延伸导体层为基于印刷工艺或者激光工艺形成的金属导体层。