[实用新型]一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路有效
| 申请号： | 201920169370.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209281403U | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 杜宏强;唐伟;韩延良 | 申请（专利权）人： | 西安奇维科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F21/79 | 分类号： | G06F21/79 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 李永刚 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 变换模块 固态硬盘 输入功率 直流电压 开关管 通用型 销毁 自毁控制模块 电路 快速物理 限制模块 自毁电路 电连接 高可靠 自毁 电子技术领域 保密需求 并列设置 电路设计 时间可控 数据安全 外围元件 物理销毁 有效解决 主流标准 体积小 多路 国防 金融 | ||
1.一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，包括多路DC-DC模块和FLASH阵列；所述多路DC-DC模块与FLASH阵列相电连接；其特征在于：还包括输入功率限制模块、直流电压变换模块、自毁控制模块和开关管；所述输入功率限制模块和直流电压变换模块并列设置；所述输入功率限制模块与开关管相电连接；所述直流电压变换模块、自毁控制模块和开关管依次相电连接；所述开关管与FLASH阵列相电连接。
2.根据权利要求1所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，其特征在于：所述输入功率限制模块为恒流模块或电子保险丝；所述开关管为MOSFET阵列或IGBT阵列或BJT阵列；所述MOSFET阵列的基本单元为低导通电阻的PMOS。
3.根据权利要求2所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，其特征在于：所述自毁控制模块内设置有嵌入式芯片；所述嵌入式芯片为ARM芯片或单片机或DSP芯片或FPGA芯片。
4.根据权利要求3所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，其特征在于：所述恒流模块的输入电压为5V-40V、输出电压为8V-36V可调、限流点为0.1A-7.0A。
5.根据权利要求4所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，其特征在于：所述直流电压变换模块的输入电压为2.7V-40V。
6.根据权利要求1或5所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，其特征在于：所述多路DC-DC模块与FLASH阵列之间设置有隔离二极管。
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