[实用新型]一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路

说明书

一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，属于电子技术领域，包括多路DC‑DC模块和FLASH阵列；其特征在于：还包括输入功率限制模块、直流电压变换模块、自毁控制模块和开关管；输入功率限制模块和直流电压变换模块并列设置；直流电压变换模块、自毁控制模块和开关管依次相电连接；所述开关管与FLASH阵列相电连接。电路设计简单，外围元件数目少且体积小，销毁时间可控，销毁率高；有效解决了现有方案中存在的自毁电路体积过大、自毁时间长、输入功率大、自毁不完全和自毁电路过于复杂且可靠性低的问题，成为可适用于各种环境条件、各种主流标准尺寸固态硬盘的通用型物理销毁电路及方法，满足国防、金融等行业对数据安全的保密需求。

技术领域

本实用新型属于电子技术领域，尤其涉及一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路。

背景技术

随着信息化技术的快速发展，全球数据总量持续增加。按照目前年增长率50%进行计算，到2020年，全球数据总量将达到40ZB，我国数据总量将达8.6ZB，占全球21%左右。在该种背景下，固态硬盘作为数据载体因其超高数据吞吐速率及超大容量已被各行各业广泛使用，但伴随而来的数据安全问题也日益突出。

软销毁及物理销毁是在特殊情况下为保护固态硬盘数据安全而采取的两种有效措施，常见于金融行业、国防行业及其它保密要求高的行业。当发生非预期情况时，应以数据保密性要求为标准来选择销毁措施。

固态硬盘的软销毁是指通过主机发送命令对固态硬盘的存储介质进行擦除和覆盖的一种非物理破坏形式的行为。通常软销毁会首先将存储介质上的数据全部擦除，再通过填入全“0”、全“F”或随机数进行覆盖，使得原始数据不可恢复，进而达到保护数据安全的目的。但是，由于固态硬盘存储介质自身的特性，擦除及覆盖操作会持续一定的时间，且时间长短与固态硬盘容量有关，范围在数十秒至数分钟之间。如果数据保密性要求对数据销毁时间有严格上限规定或要求销毁时间越短越好，那么软销毁将不再适用于大容量固态硬盘。

固态硬盘的物理销毁则是指通过外部信号触发对其上的存储介质进行电气、机械或者化学形式的物理结构破坏。一般而言，物理销毁需要达到损毁存储芯片内部晶圆的程度，这样从根本上保证了数据的不可恢复性，继而达到保护数据安全的目的。目前国内的固态硬盘物理销毁方法受限于体积和安全要求，以电气形式破坏为主。这些电气形式的破坏原理不一，就已申请专利的方法或电路来说，并不能满足安全可靠、低功率输入、极短时间销毁的用户需求或客观要求。对于特殊行业，尤其是国防建设，实用新型一种输入功率低、销毁时间短、可以适应于各种环境条件、不以降低固态盘自身可靠性为代价且能对数据进行绝对保护的物理销毁方法势在必行。

发明内容

本实用新型旨在解决上述问题，提供一种高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路。

本实用新型所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，包括多路DC-DC模块和FLASH阵列；所述多路DC-DC模块与FLASH阵列相电连接；还包括输入功率限制模块、直流电压变换模块、自毁控制模块、和开关管；所述输入功率限制模块和直流电压变换模块并列设置；所述输入功率限制模块与开关管相电连接；所述直流电压变换模块、自毁控制模块和开关管依次相电连接；所述开关管与FLASH阵列相电连接。

本实用新型所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，所述输入功率限制模块为恒流模块或电子保险丝；所述开关管为MOSFET阵列或IGBT阵列或BJT阵列；所述MOSFET阵列的基本单元为低导通电阻Rds（on）的PMOS。

本实用新型所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，所述自毁控制模块内设置有嵌入式芯片；所述嵌入式芯片为ARM芯片或单片机或DSP芯片或FPGA芯片。

本实用新型所述高可靠通用型固态硬盘快速物理销毁电路，所述恒流模块完成对销毁电压的转换过程以及对输入功率的限制作用。其输入电压为5V-40V、输出电压为8V-36V可调、限流点为0.1A-7.0A，启动时间可调。