[实用新型]一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件

权利要求书

1.一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，包括框架本体区、载片基岛区、导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置，所述框架本体区和载片基岛区层叠设置，所述导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置均封装在所述载片基岛区内，所述Mosfet芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，其特征在于：

所述散热区位于Mosfet芯片和温度保护装置正下方，所述散热区与Mosfet芯片下表面之间通过导电焊料层电连接，所述散热区与温度保护装置下表面之间通过导电焊料层电连接，所述Mosfet芯片与温度保护装置之间形成隔离，相互之间绝缘，无电性连接；

还包括第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第一导电焊盘、第二导电焊盘位于Mosfet芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，所述焊接区封装在载片基岛区内，所述引脚区从所述载片基岛区内向外延伸形成引脚，所述Mosfet芯片电性连接所述第一导电焊盘的焊接区，所述温度保护装置电性连接所述第二导电焊盘的焊接区。

2.根据权利要求1所述一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述Mosfet芯片设置于所述温度保护装置和焊接区之间。

3.根据权利要求2所述一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述Mosfet芯片的漏极、源极和栅极通过若干根金属线跨接于与所述第一导电焊盘的焊接区之间，所述温度保护装置通过若干根金属线跨接于所述第二导电焊盘的焊接区之间。

4.根据权利要求2所述一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述Mosfet芯片的漏极、源极和栅极通过金属导体带跨接于与所述第一导电焊盘的焊接区之间。

5.根据权利要求2所述一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述第一导电焊盘的引脚区由栅极引脚、漏极引脚和源极引脚组成。

6.根据权利要求5所述一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述第二导电焊盘的引脚区由两根引脚组成。

7.根据权利要求1-6任一权利要求所述的一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述温度保护装置为热敏电阻。

8.根据权利要求7所述的一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，其特征在于：所述热敏电阻的正极端和负极端分别电性连接所述第二导电焊盘的引脚区的两根引脚，所述第二导电焊盘的引脚区的两根引脚相互绝缘。