[实用新型]一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件

说明书

本实用新型涉及一种集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet半导体器件的温度变化，温度保护装置与Mosfet两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。

技术领域

本发明涉及Mosfet半导体器件技术领域，具体涉及一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet器件。

背景技术

随着电子产品的发展，消费类电子产品越来越向小型化方向发展。随着产品的做小做薄，电路中的Mosfet半导体器件在工作过程中产生和积累的热量会影响电子产品的使用寿命和可靠性，现有技术中，解决该技术问题的方法主要有两点：1.通过提升IC制程能力来降低电压等方式来减小发热量；2.电路中采用热敏电阻器对Mosfet半导体器件进行温度检测和保护。但在实际工作过程中，由于电路设计普遍将Mosfet半导体器件和热敏电阻器设计在电路的不同位置，因此导致热敏电阻感应Mosfet半导体器件温度变化的灵敏度随着距离的增加而下降，会导致Mosfet半导体器件的温度超过正常范围而热敏电阻未感应到而无法进行合理的保护。Mosfet半导体器的温度保护问题不解决，会使得电子产品因过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损毁。

发明内容

本发明目的是提供一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet芯片的温度变化。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：包括框架本体区、载片基岛区、导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置，框架本体区和载片基岛区层叠设置，导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置均封装在载片基岛区内，Mosfet芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，导电基盘由散热区和基盘引脚区组成。散热区位于Mosfet芯片和温度保护装置正下方，散热区与Mosfet芯片下表面之间通过导电焊料层电连接，散热区与温度保护装置下表面之间通过导电焊料层电连接，Mosfet芯片与温度保护装置之间形成隔离，相互之间绝缘，无电性连接。

还包括第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘、第二导电焊盘位于Mosfet芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区封装在载片基岛区内，引脚区从载片基岛区内向外延伸形成引脚，Mosfet芯片电性连接第一导电焊盘的焊接区，温度保护装置电性连接第二导电焊盘的焊接区。

优选的， Mosfet芯片设置于焊接区和温度保护装置之间。

进一步的，Mosfet芯片的源极和栅极通过若干根金属线或者金属导体带跨接于与第一导电焊盘的焊接区之间，温度保护装置通过若干根金属线跨接于第二导电焊盘的焊接区之间。

进一步的，第一导电焊盘的引脚区由由栅极引脚、漏极引脚和源极引脚组成。

进一步的，第二导电焊盘的引脚区由两根引脚组成。

优选的，温度保护装置为热敏电阻，将热敏电阻集成到Mosfet半导体器件内部，热敏电阻的正极端和负极端分别电性连接第二导电焊盘的引脚区的两根引脚，第二导电焊盘的引脚区的两根引脚相互绝缘。热敏电阻将Mosfet芯片的温度变化以电阻阻值的方式反馈回电路中。

作为本发明的进一步改进，导电基盘由层叠的基底、绝缘板构成，绝缘板设置在基底上，Mosfet芯片设置在绝缘板上，驱动及保护线路板设置在基底上，且驱动及保护线路板与Mosfet芯片电连接。基底为全铜基底，所述绝缘板为氧化铝陶瓷板。全铜基底作为电流通道以及散热基底；氧化铝陶瓷板为Mosfet芯片与全铜基底之间提供一层绝缘低热阻的过渡通道，并提供低阻抗的导电通道。

本发明提供的一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，具有以下有益技术效果和优点：