[实用新型]一种单晶炉用加热器

说明书

本实用新型涉及硅单晶制备技术领域，尤其是涉及一种单晶炉用加热器。该种单晶炉用加热器，包括加热器主体和加热器脚，所述加热器主体由若干加热单元组成，所述加热单元含有减薄形的圆弧片。该种单晶炉用加热器能使炉室底部温度明显上升，侧壁最高温度降低，且位置下移；提高晶体和熔体轴向温度梯度，在降低功率的同时仍对拉速有提升作用，在不降低使用寿命的基础上，经济性相比一般加热器要提升20％以上。

技术领域

本实用新型涉及硅单晶制备技术领域，尤其是涉及一种单晶炉用加热器。

背景技术

目前厂家在使用普通加热器时大多采用高埚位来生长单晶，较高的等径埚位是为了保证等径时固液界面有足够的过冷度，获得较大的拉速，缩短等径生长时间，提高生产效率，而生产效率是直拉硅单晶生长最关键的成本因数。这种高埚位的生长法主要存在以下缺陷：

(1)随着等径生长的进行，坩埚位置不断上移，为了保证熔硅表面不结晶，功率必须不断上升，导致等径拉速不断降低。

(2)高埚位导致熔体重心高于加热器最高温位置点，存在功耗浪费、尤其随着等径进行，坩埚上升过程中，熔体重心距离加热器最高温位置点越来越远，下隔热板反射热量的作用减弱，这种功耗浪费就变得越加巨大。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种单晶炉用加热器，它结构简单，能提高拉速，同时降低功耗。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：一种单晶炉用加热器，包括加热器主体和加热器脚，所述加热器主体由若干加热单元组成，所述加热单元含有减薄形的圆弧片。这样能使炉室底部温度明显上升，侧壁最高温度降低，且位置下移。

作为本实用新型进一步的方案：所述加热器主体向加热器脚的径向方向为正方向，所述圆弧片厚度沿正方向逐渐减薄。所述圆弧片总电阻与未减薄部分总电阻比大于等于1:2.5且小于等于1:3.3。所述圆弧片为半圆或半椭圆，所述圆弧片的圆心落在加热单元的中轴线上。这样能提高晶体和熔体轴向温度梯度，在降低功率的同时仍对拉速有提升作用，由于发热单元的最小横截面并没有减少，其使用寿命并不会因为减薄而降低。

作为本实用新型进一步的方案：所述加热器主体和加热器脚是可拆卸的连接。所述加热单元的每条内边和外边都是平行的。其结构简单易装配，加工生产成本较低。

综上所述，本实用新型的有益效果是：本实用新型使用减薄形的圆弧片，能使炉室底部温度明显上升，侧壁最高温度降低，且位置下移；提高晶体和熔体轴向温度梯度，在降低功率的同时仍对拉速有提升作用，在不降低使用寿命的基础上，经济性相比一般加热器要提升20％以上。

附图说明

通过下面结合附图的详细描述，本实用新型前述的和其他的目的、特征和优点将变得显而易见。

图1为本实用新型的主视图。

图2为使用本实用新型的单晶炉结构示意图。

其中：1.加热器、2.坩埚、3.石墨托帮、4.保温碳毡、11.加热器主体、12.加热单元、13.加热器脚、14.圆弧片、15.内边、16.外边。

具体实施方式

以下依据本实用新型的理想实施例为启示，通过以下的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。