[实用新型]一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201920180502.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN209401621U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 牛士敏;余欢 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属镀 化层 铜箔 连通 外部 三维封装 引线框架 上端 外引线 气密 三层 引脚 芯片 三维堆叠结构 本实用新型 存储器器件 存储器容量 堆叠设置 固态胶膜 灌封胶层 交替堆叠 平面空间 堆叠体 互连 单层 粘接 占用 | ||
1.一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括引线框架(3)和四片1G×8bit的NAND FLASH芯片(1)，四片NAND FLASH芯片(1)依次堆叠设置于引线框架(3)上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层(2)，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜(4)粘接，四片NAND FLASH芯片(1)四周外侧设有灌封胶层(5)，灌封胶层(5)外侧设有外部金属镀化层引线(6)，上端三层NAND FLASH芯片(1)上的铜箔电引层(2)与外部金属镀化层引线(6)连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线(6)连通，引线框架(3)上设有外引线(7)，外引线(7)连通至外部金属镀化层引线(6)，外部金属镀化层引线(6)外侧设有包覆层；引线框架(3)上设有50个外引线(7)作为输出引脚；
由下至上依次堆叠的四层NAND FLASH芯片中上端三层NAND FLASH芯片的数据线通过外部金属镀化层引线和铜箔电引层(2)连通至外引线(7)，最下端一层NAND FLASH芯片的数据线直接通过芯片引脚与外部金属镀化层引线连通至外引线(7)，形成模块的I/00-I/O7数据线，四层NAND FLASH芯片的数据线最后通过外引线(7)汇集，通过四片NAND FLASH芯片的数据线连通；
四片NAND FLASH芯片的片选线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的读使能线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的状态输出线分别单独引出；
四片NAND FLASH芯片的电源线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的地线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的指令锁存线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的写使能线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的地址锁存线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)；四片NAND FLASH芯片的写保护线通过外部金属镀化层引线接至同一个外引线(7)。
2.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，引线框架(3)与最下端的NAND FLASH芯片(1)之间设有垫片(8)。
3.根据权利要求2所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，所述垫片(8)采用FR4垫片，垫片两面分别与引线框架和NAND FLASH芯片通过固态胶膜粘接。
4.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，铜箔电引层采用FN32G08-1铜箔或FN32G08-2铜箔。
5.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，外引线采用扁平引线-D8外引线。
6.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，引线框架采用B-FN32G08框架。
7.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，灌封胶层采用环氧树脂胶。
8.根据权利要求1所述的一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，其特征在于，外部金属镀化层引线采用镀镍、镍或金复合层。
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