[实用新型]一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器

说明书

本实用新型公开了一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，四片NAND FLASH芯片依次堆叠设置于引线框架上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜粘接，四片NAND FLASH芯片四周外侧设有灌封胶层和外部金属镀化层引线，上端三层NAND FLASH芯片上的铜箔电引层与外部金属镀化层引线连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线连通，引线框架上设有外引线，外引线连通至外部金属镀化层引线，结构上采用三维堆叠结构，将芯片与互连铜箔在高度方向交替堆叠，形成堆叠体，在与单层芯片所占面积接近的情况下实现了存储器容量的扩充，显著减少存储器器件占用PCB板的平面空间，利于系统的小型化。

技术领域

本实用新型涉及存储设备，具体涉及一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NANDFLASH存储器。

背景技术

存储器是计算机中的重要部件之一，是CPU能直接寻址的存储空间，计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的，其特点是存取速率快，因此内存的性能对计算机的影响非常大。对于计算机尺寸要求严格的应用环境，如导弹、船舶、卫星等应用环境，内存部位所占PCB板的面积要求缩小，系统迫切需要体积小、综合抗辐照能力强的存储器。

很多电子产品都需要使用非易失性闪速存储器(NAND FLASH)器件，而且电子产品处理数据量越来越大，要求存储空间越来越大，各种NAND FLASH的容量有限，要实现大容量势必要在PCB板上放置多片NAND FLASH器件，这些器件会占用相当大的面积，引起PCB板面积的增大，不利于系统的小型化。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种容量为4G×8bit的非气密三维封装 NAND FLASH存储器，以克服现有技术的不足，本实用新型能够满足系统板对大容量、小体积的NANDFLASH存储器的需求。

为达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种容量为4G×8bit的非气密三维封装NAND FLASH存储器，包括引线框架和四片1G×8bit的NAND FLASH芯片，四片NAND FLASH芯片依次堆叠设置于引线框架上，上端三层NAND FLASH芯片表层设有接NAND FLASH芯片引脚的铜箔电引层，相邻两个NAND FLASH芯片之间通过固态胶膜粘接，四片 NAND FLASH芯片四周外侧设有灌封胶层，灌封胶层外侧设有外部金属镀化层引线，上端三层NAND FLASH芯片上的铜箔电引层与外部金属镀化层引线连通，最下端的NAND FLASH芯片的引脚直接与外部金属镀化层引线连通，引线框架上设有外引线，外部金属镀化层引线连通至外引线。

进一步的，外部金属镀化层引线外侧设有包覆层。

进一步的，引线框架与最下端的NAND FLASH芯片之间设有垫片。

进一步的，所述垫片采用FR4垫片，垫片两面分别与引线框架和NAND FLASH芯片通过固态胶膜粘接。

进一步的，由下至上依次堆叠的四层NAND FLASH芯片中上端三层NAND FLASH芯片的数据线通过外部金属镀化层引线和铜箔电引层连通至外引线，最下端一层NAND FLASH芯片的数据线直接通过芯片引脚与外部金属镀化层引线连通至外引线，形成模块的I/00-I/O7数据线，四层NAND FLASH芯片的数据线最后通过外引线汇集，通过四片NAND FLASH芯片的数据线连通；

四片NAND FLASH芯片的片选线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的读使能线分别单独引出；四片NAND FLASH芯片的状态输出线分别单独引出；