[实用新型]一种单晶碳化硅材料的加工设备有效

专利信息
申请号: 201920185878.5 申请日: 2019-02-02
公开(公告)号: CN209737289U 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 赵永华;陈钊杰;王宏强 申请(专利权)人: 南方科技大学
主分类号: B24B27/033 分类号: B24B27/033;B28D1/00
代理公司: 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人: 唐致明<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 单晶碳化硅 磨削 磨削装置 射流装置 电解液 喷射 机械加工技术 本实用新型 表面形成 高速氧化 工件表面 加工设备 磨削加工 损伤层 氧化膜 去除
【说明书】:

实用新型涉及机械加工技术领域,提供了一种单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和射流装置,射流装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层。

技术领域

本实用新型涉及机械加工技术领域,尤其涉及一种单晶碳化硅材料的加工设备。

背景技术

单晶碳化硅目前主要应用于半导体工业,采用现有的加工方法对单晶碳化硅进行加工,通过金刚石线锯加工后的单晶碳化硅表面粗糙且平整度差,需要进一步的研磨工艺。磨削过程一般使用金刚石砂轮在其表面进行磨削,但是因单晶碳化硅有超高的硬度,在进行机械磨削的过程中磨削效率低且金刚石砂轮磨损严重,而且磨削过程会对单晶碳化硅表面造成二次损伤,使得磨削加工后,其表面粗糙度和表面光洁度仍然难以达到要求,仍需要对其进行化学机械抛光,而化学机械抛光时间长且容易产生抛光液残留。因此,目前对单晶碳化硅的磨削并没有成熟的工艺,磨削后的损伤层不可避免。因此,需要提供一种新的技术方案,以解决单晶碳化硅的磨削后产生损伤层的技术问题。

实用新型内容

本实用新型旨在提供一种用于加工单晶碳化硅材料的加工设备,以解决单晶碳化硅材料磨削后产生损伤层的技术问题。

本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是:

提供了一种单晶碳化硅材料的加工设备,包括机架,以及设置在机架上的磨削装置、射流装置和承载装置,其中,所述磨削装置包括驱动部和磨削部,所述驱动部驱动所述磨削部旋转,所述磨削部由硬度低于单晶碳化硅的材料构成;所述射流装置包括喷嘴和电解液储存装置,所述喷嘴连通于所述电解液储存装置;所述承载装置包括用于固定单晶碳化硅材料的固定装置。

作为上述技术方案的改进,还包括转台,所述承载装置设置在所述转台上,所述转台带动所述承载装置旋转。

作为上述技术方案的进一步改进,所述承载装置包括固定块及用于夹紧所述固定块的夹具,所述固定块上设置有用于固定单晶碳化硅材料的安装部。

作为上述技术方案的进一步改进,还包括喷嘴调节装置,所述喷嘴调节装置包括第一活动载台和第二活动载台,所述喷嘴设置在所述第一活动载台上,所述第一活动载台可滑动地连接于所述第二活动载台上,所述第二活动载台可滑动地连接于所述机架上。

作为上述技术方案的进一步改进,还包括电解液循环装置,所述电解液循环装置包括循环管路,所述喷嘴通过所述循环管路与所述电解液储存装置连通,所述循环管路上设置有送液装置。

作为上述技术方案的进一步改进,所述电解液循环装置还包括过滤装置,过滤装置连通于所述循环管路上。

作为上述技术方案的进一步改进,还包括脉冲电源装置,所述脉冲电源装置连接所述喷嘴和待加工的单晶碳化硅材料。

作为上述技术方案的进一步改进,所述磨削部为砂轮或者磨头。

作为上述技术方案的进一步改进,所述磨削部由氧化铝或者二氧化铈材料构成。

本实用新型的有益效果是:

本实用新型用于加工单晶碳化硅材料的加工设备,包括磨削装置和喷射装置,喷射装置用于对单晶碳化硅工件喷射电解液,磨削装置用于对喷射电解液后的单晶碳化硅材料进行磨削加工,使在工件表面被高速氧化后产生的氧化膜立刻被磨削去除,可增加磨削精度和磨削效率,磨削后不会对单晶碳化硅表面形成损伤层。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图做简单说明:

图1为本实用新型刀具一个实施例的结构示意图;

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