[实用新型]限位件、工作平台组件及活化热退火设备有效
申请号: | 201920212244.4 | 申请日: | 2019-02-18 |
公开(公告)号: | CN209401610U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 郭雄;左丞;陈玉楠;饶杨;党康鹏;陈宏;金钟;秦鹏;王博;罗仲丽;黄世飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一表面 限位件 斜面部 第二表面 基板 工作平台组件 本实用新型 热退火设备 第一端 活化 承载 设备制造技术 工作平台 基板接触 基板损坏 限位结构 逐渐增大 承载面 弧面 限位 | ||
本实用新型提供一种限位件、工作平台组件及活化热退火设备,属于设备制造技术领域,其可解决现有基板的限位结构容易造成基板损坏的问题。本实用新型的限位件,用于设置在工作平台的承载面上,以对置于承载面上的基板进行限位;限位件包括至少一个斜面部,斜面部具有用于与基板接触的第一表面,以及与第一表面相对的第二表面,第一表面为平面或弧面,第二表面为平面;斜面部具有第一端和第二端,在从第一端到第二端的方向上,第一表面与第二表面间的距离逐渐增大;斜面部至少靠近第一端的部分用于置于基板和承载面之间。
技术领域
本实用新型属于设备制造技术领域,具体涉及一种限位件、工作平台组件及活化热退火设备。
背景技术
基板的制备需要经过多道工序,有些工序需要在不同的设备中完成,或者,有些工序需要在同一设备中不同的制备区间完成,因此,基板需要在不同的设备之间传送,或者,在同一设备的不同制备区间之间传送。
一般地,采用传送装置进行基板的传送。参见图1,传送装置在传送基板时,基板2放置在传送装置的工作平台4上,在基板传送过程中,基板难免在外力作用下在工作平台上移动,例如,基板在快速热退火(rapid thermal annealing,简称RTA)设备中的高温腔室进入冷却腔室后,冷热气流相遇会造成基板在工作平台上的移动。为了防止基板在工作平台上大范围的移动,在工作平台上,对应基板2的每个直角的位置各外侧设置有两个圆柱凸起5,基板2的4个角共对应8个圆柱凸起5,8个圆柱凸起5组成对基板进行限位的限位结构。
但是,当基板在承载面上发生剧烈移动时,基板会撞到圆柱凸起上,圆柱凸起和基板的碰撞面积小,且碰撞冲击力中与基板垂直的分力较大,因此,容易造成基板的损坏。
实用新型内容
本实用新型针对现有的基板的限位结构容易造成基板损坏的不足,提供一种结构合理,限位效果好且生产工艺简单的限位件、工作平台组件及活化热退火设备。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种限位件,用于设置在工作平台的承载面上,以对置于所述承载面上的基板进行限位;
所述限位件包括至少一个斜面部,所述斜面部具有用于与所述基板接触的第一表面,以及与所述第一表面相对的第二表面,所述第一表面为平面或弧面,所述第二表面为平面;
所述斜面部具有第一端和第二端,在从所述第一端到所述第二端的方向上,所述第一表面与所述第二表面间的距离逐渐增大;所述斜面部至少靠近所述第一端的部分用于置于所述基板和所述承载面之间。
可选地,所述限位件包括第一斜面部和第二斜面部;
所述第一斜面部和所述第二斜面部均与一连接部相连,所述第一斜面部的第二表面和所述第二斜面部的第二表面共面;
所述第一斜面部的所述第一端到所述第二端的方向与所述第二斜面部的所述第一端到所述第二端的方向相互垂直。
可选地,所述第一斜面部和所述第二斜面部的结构相同。
可选地,在所述第一斜面部和所述第二斜面部之间形成有缺失结构。
可选地,所述第一表面和所述第二表面之间的夹角为10°至15°。
可选地,每个所述斜面部中,所述第一表面和所述第二表面之间的最小距离不大于0.5mm,且最大距离至少为5mm。
可选地,所述第二表面上设有用于对所述限位件进行定位的定位柱。
可选地,所述第二表面上设有两个定位柱。
可选地,所述第一表面上设有防滑结构。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种工作平台组件,包括工作平台以及多个上述的限位件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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