[实用新型]平板探测基板及平板探测器有效
| 申请号： | 201920220380.8 | 申请日： | 2019-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN209571423U | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 梁魁;刘晓惠;孟虎;刘大力;段立业;林家强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探测基板 本实用新型 平板探测器 半导体层 感应电极 偏压电极 基底 探测器技术领域 检测 覆盖 | ||
1.一种平板探测基板，包括：基底，位于所述基底上的多个检测单元；每个所述检测单元包括：偏压电极和感应电极；其特征在于，所述平板探测基板还包括：覆盖在所述偏压电极和所述感应电极之上的半导体层；且所述半导体层的厚度大于100nm。
2.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，所述半导体层与所述偏压电极和所述感应电极直接接触。
3.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，所述半导体层的材料包括a-Si。
4.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，所述半导体层包括依次设置在所述基底上方的第一半导体层和第二半导体层；其中，所述第二半导体层的迁移率高于所述第一半导体层的迁移率。
5.根据权利要求4所述的平板探测基板，其特征在于，所述第一半导体层的迁移率小于0.5cm/vs；所述第二半导体层的迁移率大于0.75cm/vs。
6.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，在所述偏压电极和所述感应电极之间设置有绝缘单元，所述半导体层覆盖所述偏压电极、所述感应电极，以及所述绝缘单元；其中，所述绝缘单元的材料包括：无机绝缘材料。
7.根据权利要求6所述的平板探测基板，其特征在于，所述绝缘单元的厚度在100nm-300nm。
8.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，所述偏压电极和所述感应电极所在层和所述半导体层之间还设置有介电层，所述介电层的材料包括金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的平板探测基板，其特征在于，所述偏压电极和所述感应电极的材料包括金属；
所述介电层的材料由所述金属氧化得到。
10.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，每个检测单元中的所述偏压电极和所述感应电极呈交叉梳状结构。
11.根据权利要求1所述的平板探测基板，其特征在于，每个所述检测单元中还包括：薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的漏极电连接所述感应电极。
12.一种平板探测器，其特征在于，包括权利要求1-11中任一项所述的平板探测基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
