[实用新型]平板探测基板及平板探测器

说明书

本实用新型提供一种平板探测基板及平板探测器，属于探测器技术领域。本实用新型的平板探测基板，包括：基底，位于所述基底上的多个检测单元；每个所述检测单元包括：偏压电极和感应电极；所述平板探测基板还包括：覆盖在所述偏压电极和所述感应电极之上的半导体层；且所述半导体层的厚度大于100nm。

技术领域

本实用新型属于探测器技术领域，具体涉及一种平板探测基板及平板探测器。

背景技术

不同于传统的P-I-N光电二极管类探测器，金属-半导体-金属叉指电极结构的光电探测器不需要进行P型掺杂，制备工艺简单，具有成本低，与薄膜晶体管及场效应晶体管等制作工艺兼容，易集成，响应速度快，暗电流小，填充率高等诸多优势，在医疗成像及工业检测领域占据举足轻重的地位。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种平坦探测基板及平板探测器。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种平板探测基板，包括：基底，位于所述基底上的多个检测单元；每个所述检测单元包括：偏压电极和感应电极；所述平板探测基板还包括：覆盖在所述偏压电极和所述感应电极之上的半导体层；且所述半导体层的厚度大于100nm。

优选的是，所述半导体层与所述偏压电极和所述感应电极直接接触。

优选的是，所述半导体层的材料包括a-Si。

优选的是，所述半导体层包括依次设置在所述基底上方的第一半导体层和第二半导体层；其中，所述第二半导体层的迁移率高于所述第一半导体层的迁移率。

优选的是，在所述偏压电极和所述感应电极之间设置有绝缘单元，所述半导体层覆盖所述偏压电极、所述感应电极，以及所述绝缘单元；其中，所述绝缘单元的材料包括：无机绝缘材料。

优选的是，所述绝缘单元的厚度在100nm-300nm。

优选的是，所述偏压电极和所述感应电极所在层和所述半导体层之间还设置有介电层，所述介电层的材料包括金属氧化物。

优选的是，所述偏压电极和所述感应电极的材料包括金属；

所述介电层的材料由所述金属氧化得到。

优选的是，每个检测单元中的所述偏压电极和所述感应电极呈交叉梳状结构。

优选的是，每个所述检测单元中还包括：薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的漏极电连接所述感应电极。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种平板探测器，包括上述的平板探测基板。

附图说明

图1为本实用新型的实施例1的一种平板探测基板的结构示意图；

图2为本实用新型的实施例1的另一种平板探测基板的结构示意图；

图3为应于本实用新型的实施例1的平板探测基板的平板探测器所产生的暗电流的示意图；

图4为应于现有的平板探测器所产生的暗电流的示意图；

图5为本实用新型的实施例1的平板探测基板的制备方法的流程图；

图6为本实用新型的实施例2的平板探测基板的结构示意图；

图7为本实用新型的实施例3的平板探测基板的结构示意图。

其中附图标记为：10、基底；11、偏压电极；12、感应电极； 13、半导体层；14、薄膜晶体管；15、遮光图案；16、层间绝缘层；161、第一层间绝缘层；162、第二层间绝缘层；17、连接电极；171、第一连接电极；172、第二连接电极；18、绝缘单元； 19、介电层。