[实用新型]一种管式PECVD设备电极对接装置有效
申请号: | 201920228654.8 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN210237773U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 郭艳;张春成;李明 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 设备 电极 对接 装置 | ||
1.一种管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:包括第一对接电极(100)和第二对接电极(200),所述第一对接电极(100)包括第一电极座(110)和用于安装第一电极座(110)的第一安装板(120),所述第一电极座(110)上穿设有正电极头(111)、接地电极头(112)和负电极头(113),所述第二对接电极(200)包括第二电极座(210)和用于安装第二电极座(210)的第二安装板(220),所述第二电极座(210)设有三个电极头接入孔(211),所述正电极头(111)、接地电极头(112)和负电极头(113)的一端插设于各电极头接入孔(211)内,另一端均具有第一接线端,所述各电极头接入孔(211)远离各电极头的一端设有第二接线端(300)。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述第一电极座(110)设有定位导向柱(410),所述第二电极座(210)设有与定位导向柱(410)配合的定位孔(420),或者,所述第二电极座(210)设有定位导向柱(410),所述第一电极座(110)设有与定位导向柱(410)配合的定位孔(420)。
3.根据权利要求2所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述定位导向柱(410)的插入定位孔(420)的一端为圆锥形尖端。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述第一接线端设有电极绝缘帽(500)。
5.根据权利要求4所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述第二接线端(300)设有电极绝缘帽(500)。
6.根据权利要求5所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述电极绝缘帽(500)设有避让孔(510)。
7.根据权利要求4所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:各电极头接入孔(211)外套有电极绝缘套(600)。
8.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述正电极头(111)、接地电极头(112)和负电极头(113)从上至下依次布置。
9.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述第一安装板(120)为L形板,L形板的竖边设有用于安装第一电极座(110)的腰型孔(700),L形板的横边设有用于固定的腰型孔(700)。
10.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备电极对接装置,其特征在于:所述第二安装板(220)为L形板,L形板的竖边设有用于安装第二电极座(210)的腰型孔(700),L形板的横边设有用于固定的腰型孔(700)。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的