[实用新型]一种管式PECVD设备电极对接装置有效
申请号: | 201920228654.8 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN210237773U | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 郭艳;张春成;李明 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 pecvd 设备 电极 对接 装置 | ||
本实用新型公开了一种管式PECVD设备电极对接装置,包括第一对接电极和第二对接电极,第一对接电极包括第一电极座和第一安装板,第一电极座上穿设有正电极头、接地电极头和负电极头,第二电极座包括第二电极座和第二安装板,第二电极座设有三个电极头接入孔,正电极头、接地电极头和负电极头的一端插设于各电极头接入孔内,另一端均具有第一接线端,各电极头接入孔远离各电极头的一端设有第二接线端。本实用新型连接电极杆的第一电极座随着推舟滑台做直线运动,最终与连接射频电源的第二电极座连接,从而实现放电功能,该电极对接装置相对于原有的拖链机构,同样适用于移动部件,既能保证射频电源放电过程的稳定性,又省去了高昂的成本。
技术领域
本实用新型涉及管式PECVD设备,尤其涉及一种管式PECVD设备电极对接装置。
背景技术
光伏发电系统是一种利用太阳能电池半导体材料的“光伏效应”将太阳光辐射能直接装换为电能的一种新型发电系统。太阳能电池,又称光伏电池,是光伏发电系统中最核心的器件。目前,技术最成熟,并具有商业价值的、市场应用最广的太阳能电池是晶体硅太阳能电池。太阳光在晶体硅表面的反射损失率高达35%左右,严重影响太阳能电池的最终转换效率。为提高转换效率,即减少晶体硅表面对太阳光的反射,增加太阳光的折射率,常在晶体硅表面蒸镀一层或多层二氧化硅或氮氧硅或氮化硅减反射膜。减反射膜不但可以减少晶体硅表面对太阳光的发射,而且可以对晶体硅表面起到钝化和保护作用。PECVD设备采用的等离子体增强化学气相沉积技术,在低压条件下,利用射频电场使反应气体产生辉光放电,电离出等离子体,促进反应活性基团的生成,从而使得硅烷和氨气能在较低的温度(200℃~450℃)下反应,减少了工艺的复杂性,并有效防止了晶体硅太阳能电池寿命的衰减,广泛应用于晶体硅太阳能电池表面减反射膜的蒸镀。
现有管式PECVD设备电极装置主要由前电极杆A1、前电极杆B2、前电极座3、拖链4、后电极座5、后电极杆6、拖链电缆9组成,每个工艺周期,电极装置与炉门装置7随着推舟系统8的运动进出一次反应室,具体结构示意图如图1所示,前电极杆1、前电极杆2与石墨舟的一种正(负)电极连接,后电极杆6与石墨舟的负(正)电极连接,前电极杆1、前电极杆2以及后电极杆6与拖链电缆9连接,拖链电缆9与射频电源的正负极连接,从而将前后电极杆与射频电源的正负电极连接。管式PECVD设备是利用射频电源放电来电离工艺气体蒸镀减反射膜,石墨舟通过特定的结构组合使相邻的两个舟片以及所载硅片互为阴阳极。因此,只需要将射频电源的正负两个电极的电极杆与石墨舟对应位置电极座连接。每一个工艺周期,需要将装载硅片的石墨舟进出一次反应室内,电极杆与射频电源的连接线跟随着推舟系统运动,因此现有设备的连接线选用适合移动部件的拖链机构。
然而,拖链电缆导体采用精绞细铜线,导体单丝直径小,一般用多头拉丝4N导体保证导体的物理性能和电性能,导体光鲜明亮,韧性好,电阻率低,电线长期在额定负载下不发热,具有柔韧性高、强度高、耐弯折性好、抗撕裂性好、机械弯曲使用寿命长等特点,但是成本高于普通电缆价格昂贵。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是针对当前用于晶体硅太阳能电池的生产制造过程中蒸镀减反射膜的PECVD设备射频电源与电极杆之间连接使用的拖链结构成本高昂的问题,提供一种能保证射频电源放电过程稳定性的同时有效降低了设备成本的管式PECVD设备电极对接装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案:
一种管式PECVD设备电极对接装置,包括第一对接电极和第二对接电极,所述第一对接电极包括第一电极座和用于安装第一电极座的第一安装板,所述第一电极座上穿设有正电极头、接地电极头和负电极头,所述第二对接电极包括第二电极座和用于安装第二电极座的第二安装板,所述第二电极座设有三个电极头接入孔,所述正电极头、接地电极头和负电极头的一端插设于各电极头接入孔内,另一端均具有第一接线端,所述各电极头接入孔远离各电极头的一端设有第二接线端。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的