[实用新型]晶圆承载装置和中转系统有效

专利信息
申请号: 201920230383.X 申请日: 2019-02-21
公开(公告)号: CN209544300U 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 马成斌 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/677
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 刘翔
地址: 201306 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 晶圆 承载盘 限位件 晶圆承载装置 升降机构 中转系统 支撑面 抓取 传输机械手 本实用新型 晶圆承载台 承载装置 工作效率 晶圆表面 距离增大 向上运动 装卸装置 平行 支撑 污染
【说明书】:

实用新型提供了一种圆承载装置和晶圆中转系统,所述晶圆中转系统包括所述晶圆承载装置;所述晶圆承载装置包括承载盘、限位件和升降机构;所述限位件具有一支撑面,所述支撑面平行位于所述承载盘的上方且和所述承载盘保持一定的距离。当晶圆通过所述晶圆装卸装置放置在所述晶圆承载装置的所述限位件的所述支撑面上,由于所述支撑面和所述承载盘保持一定的距离,因此可以解决现有晶圆承载台会接触晶圆表面从而造成晶圆污染的问题。另外,由于所述限位件固定在所述升降机构上,当所述传输机械手抓取晶圆时,所述限位件可在所述升降机构的作用下向上运动,使得晶圆和所述承载盘之间的距离增大,故可以方便所述传输机械手的抓取,从而提高工作效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种晶圆承载装置和晶圆中转系统。

背景技术

通常,为了实现硅晶片的抛光加工精度,达到集成电路硅晶片要求的技术指标,需进行两步化学机械抛光(CMP):粗抛光和精抛光。先通过粗抛光除去硅晶片切割和成形残留下的表面损伤层,加工成镜面,最后再通过对硅晶片进行精抛光,从而最大程度上降低表面粗糙及其他微小缺陷。在实际生产中,硅晶片的最终精抛光是表面质量的决定性步骤。

然而,一般地,晶圆精抛光完毕,后续工艺步骤还包括将晶圆转移至用来中转的晶圆承载台上,而后通过传输机械手转移至晶圆盒内。通常由于晶圆承载台设置在离抛光机不远的位置,表面容易积纳晶片或焊盘残渣,当晶圆接触到晶圆承载台的表面时容易产生污染,从而影响对晶圆精抛光的质量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆承载装置和晶圆中转系统,以解决现有晶圆承载台会接触晶圆表面从而造成晶圆污染的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种晶圆承载装置,所述晶圆承载装置包括承载盘、限位件和升降机构;

所述限位件贯穿所述承载盘,所述限位件具有一支撑面,所述支撑面位于所述承载盘的上方且与所述承载盘平行,所述限位件的底端固定在所述升降机构上并且所述升降机构能够驱动所述限位件作升降运动以调整所述支撑面相对于所述承载盘的高度。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述限位件包括第一限位件和第二限位件,所述第一限位件贯穿所述承载盘且固定在所述升降机构上,所述第一限位件的顶面构成所述支撑面,所述第二限位件固定在所述第一限位件的顶面上,且所述第二限位件与所述第一限位件的靠近所述承载盘中心的一侧保持一定的距离。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述第一限位件的数量为至少三个,所述第一限位件呈圆柱型,所有所述第一限位件围绕所述承载盘的中心呈环状均匀分布。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述第二限位件的数量和所述第一限位件的数量保持一致,且每个所述第一限位件上固定有一所述第二限位件。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述第一限位件的数量为1个,所述第一限位件呈圆环型,所述承载盘呈圆形,所述第一限位件和所述承载盘同心且所述第一限位件的半径小于或等于所述承载盘的半径。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述第二限位件的数量为至少三个,所有所述第二限位件围绕所述承载盘的中心呈环状均匀分布。

可选地,在所述的晶圆承载装置中,所述第二限位件呈圆锥型。

本实用新型还提供一种晶圆中转系统,其特征在于,所述晶圆中转系统包括晶圆装卸装置、传输机械手和一如上所述的晶圆承载装置;

所述晶圆承载装置用于承载来自所述晶圆装卸装置的晶圆;

所述传输机械手用于将所述晶圆承载装置中的晶圆转移至指定放置位置。

可选地,在所述的晶圆中转系统中,所述晶圆装卸装置包括吸嘴和围绕所述吸嘴的卡盘。

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