[实用新型]PIN二极管有效
| 申请号： | 201920232834.3 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN209526090U | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张源 | 申请（专利权）人： | 上海易密值半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板 阴极导电层 本实用新型 二氧化硅层 阳极导电层 非晶硅层 依次叠加 非晶硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶硅PIN二极管，其特征在于，包括：
基板；
阴极导电层，结合于所述基板一表面上；
沿所述基板至所述阴极导电层延伸的方向依次叠加有N型非晶硅层、二氧化硅层、非晶硅层、P型非晶硅层和阳极导电层。
2.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阴极导电层为金阴极导电层。
3.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阴极导电层为铜阴极导电层。
4.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阴极导电层为钼阴极导电层。
5.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阴极导电层的厚度为50nm-500nm。
6.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述二氧化硅层的厚度为：20-40nmm。
7.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阳极导电层的厚度为20nm-80nm。
8.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阳极导电层为ITO阳极导电层。
9.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阳极导电层为AZO阳极导电层。
10.如权利要求1所述的非晶硅PIN二极管，其特征在于：所述阳极导电层为IZO阳极导电层。
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