[实用新型]PIN二极管

说明书

本实用新型提供了一种非晶硅PIN二极管，包括基板，阴极导电层，结合于所述基板一表面上；沿着基板到阴极导电层方向依次叠加有N型非晶硅层、二氧化硅层、非晶硅层、P型非晶硅层和阳极导电层。

技术领域

本实用新型属于二极管领域，具体涉及一种非晶硅PIN二极管。

背景技术

现有的非晶硅器件存在以下缺点：因为非晶硅的晶格结构相对于单晶硅有序的晶格结构和多晶硅短范围内有序的晶格不同，非晶硅在任何距离范围内都是杂乱无序的晶格结构导致非晶硅器件中的暗电流过大，所以当非晶硅器件被应用为传感器时输出信号和噪音的比值过小，导致非晶硅器件所感应的外界物理变化细节不足致使外界物理变化不能被真实反映，无法和现有的CMOS或 MEMSI传感器技术相提并论。

PIN二极管是一种重要的半导体元器件，非晶硅PIN半导体也有其特殊的用途。如何解决非晶硅的暗电流过大从而引起传感器噪音过大的问题是十分紧迫的。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种非晶硅PIN二极管，以解决现有的PIN二极管用作传感器信噪比较小的技术问题。

为了解决所述问题，本实用新型提供了一种非晶硅PIN二极管，包括：

基板；

阴极导电层，结合于所述基板一表面上；

沿着基板到阴极导电层方向依次叠加有型非晶硅层、二氧化硅层、非晶硅层、P型非晶硅层和阳极导电层。

优选地，所述阴极导电层为金阴极导电层。

优选地，所述阴极导电层为铜阴极导电层。

优选地，所述阴极导电层为钼阴极导电层。

优选地，所述阴极导电层的厚度为50nm-500nm。

优选地，所述二氧化硅层的厚度为：20-40nmm。

优选地，所述阳极导电层的厚度为20nm-80nm。

优选地，所述阳极导电层为ITO阳极导电层。

优选地，所述阳极导电层为AZO阳极导电层。

优选地，所述阳极导电层为IZO阳极导电层。

与现有技术相比，本实用新型所述的非晶硅PIN半导体用作传感器具有信噪比更高的优势。

附图说明

图1本实用新型实施例所述的非晶硅PIN二极管结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本实用新型提供了一种非晶硅PIN二极管，其结构如图1所示，其包括：

基板1；

阴极导电层2，结合于所述基板1的一表面上；

沿着基板1到阴极导电层2方向依次叠加有N型非晶硅层3、二氧化硅层4、非晶硅层5、P型非晶硅层6和阳极导电层7。

其中，所述阴极导电层2为金阴极导电层、铜阴极导电层或钼阴极导电层中任意一种。根据二极管在不同设备上的应用和不同阴极导电层在性质上的不同，选取契合的阴电极。在一实施例中，所述阴极导电层2如金阴极导电层、铜阴极导电层或钼阴极导电层任一层结构的厚度为50nm-500nm。

所述二氧化硅层的厚度为：20-40nmm。