[实用新型]一种多路并联MOS管的驱动电路

权利要求书

1.一种多路并联MOS管的驱动电路，包括推挽电路、多路栅极电阻和多路并联MOS管，单个所述MOS管在PCB板上的管脚封装为TO247与TO247-4兼容封装，所述兼容封装共有栅极G1、栅极G2、漏极D、功率源极S1和信号源极S2等五个管脚，其中栅极G1、漏极D、功率源极S1的管脚封装与TO247管脚封装兼容，栅极G2、漏极D、功率源极S1、信号源极S2的管脚封装与TO247-4管脚封装兼容，单个所述MOS管的栅极G1与栅极G2相连；所述推挽电路由NPN型三极管和PNP型三极管组成，所述NPN型三极管的基极与所述PNP型三极管的基极连接到所述推挽电路输入端，所述推挽电路输入端连接驱动PWM信号，所述NPN型三极管的集电极连接所述推挽电路的电源，所述PNP型三极管的集电极连接所述推挽电路地电平，所述NPN型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接到所述推挽电路输出端，所述推挽电路输出端连接所述多路栅极电阻的一端，所述多路栅极电阻的另一端分别连接到单个所述MOS管的栅极G1，其特征在于：单个所述MOS管的功率源极S1与信号源极S2最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平，以抑制多路兼容管脚封装的MOS管并联时在驱动回路上产生的功率环流。

2.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：当单个所述MOS管为TO247封装的MOS管时，所述MOS管的功率源极S1最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平；当单个所述MOS管为TO247-4封装的MOS管时，所述MOS管的信号源极S2最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平。

3.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：所述MOS管的功率源极S1最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平，所述MOS管信号源极S2连接到所述推挽电路地电平。

4.根据权利要求1或2或3所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：单个MOS管功率源极S1串联一个开关和一个源极电阻到所述推挽电路地电平；单个MOS管信号源极S2串联一个开关和一个源极电阻到所述推挽电路地电平，或者单个MOS管信号源极S2串联一个开关到所述推挽电路地电平。

5.根据权利要求1或2或3所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：单个MOS管功率源极S1与信号源极S2分别连接到一个选择开关的两个被选择端，选择开关的选择端连接源极电阻一端，源极电阻另一端连接推挽电路地电平。

6.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：MOS管驱动电路中增加一个稳压二极管和一个负压电容，MOS管的源极电阻的一端与稳压二极管的阴极连接，稳压二极管的阳极与推挽电路地电平连接，所述负压电容与所述稳压二极管并联连接。

7.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：推挽电路为带推挽输出能力的驱动芯片或带推挽输出能力的光耦器件。

8.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：驱动PWM信号连接到多路推挽电路的输入端，单个所述推挽电路输出端连接到单个或多个所述MOS管的栅极电阻。

9.根据权利要求1所述的多路并联MOS管的驱动电路，其特征在于：所述MOS管为与之封装兼容的IGBT管，单个所述IGBT管在PCB板上的管脚封装为TO247与TO247-4兼容封装，所述兼容封装共有栅极G1、栅极G2、集电极C、功率发射极E1和信号发射极E2五个管脚，其中栅极G1、集电极C、功率发射极E1的管脚封装与TO247管脚封装兼容，栅极G2、集电极C、功率发射极E1、信号发射极E2的管脚封装与TO247-4管脚封装兼容。