[实用新型]一种多路并联MOS管的驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种多路并联MOS管的驱动电路，包括推挽电路、多路栅极电阻和多路并联MOS管，还包括在每个兼容封装MOS管的功率源极S1和信号源极S2最少串联一个源极电阻到驱动地电平。采用本实用新型电路，通过增加所述的源极电阻，能够有效抑制MOS管并联时驱动回路中的环流，减小MOS管的损耗，提高MOS管驱动的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电力电子产品领域，具体涉及一种多路并联MOS管的驱动电路。

背景技术

现有的大功率MOS管通常采用TO-247封装，由于源极存在寄生电感，在MOS 管开通或者关断时，主功率电路上大电流的变化会导致MOS管栅源极驱动电压尖峰超标，应用时需要通过增大栅极电阻、增加栅源电容等方式来放慢MOS管的开通和关断速度，导致MOS管开关速度受限。随着开关管开关速度的进一步提高，为了减小封装中源极寄生电感的影响，部分厂家的功率型MOS管逐渐采用TO-247-4封装，即在原有TO-247封装的基础上，再增加一个直接连接到MOS 管内部的信号源极，作为栅极驱动电压的参考地电平，以消除驱动电压对源极电感的影响，从而提高MOS管的开关速度，增加MOS管驱动的可靠性。

实际应用中，考虑到MOS管应用的多样性，通常会需要两种封装MOS管能够兼容使用。为了能够在PCB电路板单个MOS管的位置上兼容使用TO-247和 TO-247-4封装，MOS管封装通常会采用兼容管脚封装，如图1所示。图中，单个MOS管在PCB板上的管脚封装为TO247与TO247-4兼容封装，共有栅极G1、栅极G2、漏极D、功率源极S1和信号源极S2等五个管脚，其中栅极G1、漏极 D、功率源极S1的管脚封装与TO247管脚封装兼容，栅极G2、漏极D、功率源极S1、信号源极S2的管脚封装与TO247-4管脚封装兼容。当上述兼容管脚封装的多路MOS管并联使用时，通常需要都采用相同封装的MOS管，不能将TO-247 封装与TO-247-4封装并联混用。由于多路MOS管的源极功率线并联连接，源极驱动信号线并联连接，任意两个MOS管之间的源极功率线会与源极驱动信号线形成闭环回路，主功率电流在回路中形成环流，导致驱动回路中流过主功率电流，从而导致MOS管的驱动电压受干扰，影响了MOS管并联使用的可靠性。

为了发挥上述多路兼容管脚封装的MOS管并联使用的灵活性，让电路中单个MOS管能够任意使用TO-247和TO-247-4封装的MOS管，在单个MOS管的功率源极S1与信号源极S2最少串联一个源极电阻到驱动电压的地电平，能够有效抑制MOS管并联时驱动回路中的环流，减小MOS管的损耗，提高MOS管驱动的可靠性。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是一种多路并联MOS管的驱动电路，通过增加源极电阻，能够有效抑制MOS管并联时驱动回路中的环流，减小MOS管的损耗，提高MOS管驱动的可靠性。

本实用新型是通过以下技术方案来实现的：一种多路并联MOS管的驱动电路，包括推挽电路、多路栅极电阻和多路并联MOS管，单个所述MOS管在PCB 板上的管脚封装为TO247与TO247-4兼容封装，所述兼容封装共有栅极G1、栅极G2、漏极D、功率源极S1和信号源极S2等五个管脚，其中栅极G1、漏极D、功率源极S1的管脚封装与TO247管脚封装兼容，栅极G2、漏极D、功率源极S1、信号源极S2的管脚封装与TO247-4管脚封装兼容，单个所述MOS管的栅极G1 与栅极G2相连；所述推挽电路由NPN型三极管和PNP型三极管组成，所述NPN 型三极管的基极与所述PNP型三极管的基极连接到所述推挽电路输入端，所述推挽电路输入端连接驱动PWM信号，所述NPN型三极管的集电极连接所述推挽电路的电源，所述PNP型三极管的集电极连接所述推挽电路地电平，所述NPN 型三极管的发射极与所述PNP型三极管的发射极连接到所述推挽电路输出端，所述推挽电路输出端连接所述多路栅极电阻的一端，所述多路栅极电阻的另一端分别连接到单个所述MOS管的栅极G1，单个所述MOS管的功率源极S1与信号源极S2最少串联一个源极电阻到所述推挽电路地电平，以抑制多路兼容管脚封装的MOS管并联时在驱动回路上产生的功率环流。