[实用新型]可适用于分子束外延生长及原位表征的样品托有效

专利信息
申请号: 201920269365.2 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN209854241U 公开(公告)日: 2019-12-27
发明(设计)人: 张宏;张冬;马志博 申请(专利权)人: 苏州华杨赛斯真空设备有限公司
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50;C23C14/22;C23C14/54
代理公司: 32102 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 姚姣阳
地址: 215000 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 样品承载板 触点 热电偶丝 热电偶 固定设置 引入 本实用新型 分子束外延 交叉设置 原位表征 样品托 穿入 下端 生长
【说明书】:

本实用新型揭示了一种可适用于分子束外延生长及原位表征的样品托,包括一块样品承载板以及两根热电偶引入触点棒,两根所述热电偶引入触点棒均固定设置于所述样品承载板的下端,所述样品承载板上固定设置有样品,所述样品承载板上还设置有两根热电偶丝,两根所述热电偶丝的一端均分别穿入一根所述热电偶引入触点棒内部,两根所述热电偶丝的另一端交叉设置并形成一个触点,所述触点位于所述样品与所述样品承载板之间。

技术领域

本实用新型涉及一种样品承托装置,尤其涉及一种可适用于分子束外延生长及原位表征的样品托,属于真空科研设备领域。

背景技术

分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)技术是新发展起来的外延制膜方法,也是一种特殊的真空镀膜工艺。具体而言,它是一种在适当的衬底与合适的条件下,沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜的方法。由于这一方法可以实现精确控制膜层组分、掺杂浓度以及量子阱、超晶格等超薄层量子结构材料,因此其不仅可以用来制备现有的大部分器件,而且也可以应用于诸多新器件的生产加工。

分子束外延这一技术自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来,发展十分迅速。新一代的MBE设备增加了分析功能、另设分析室,将分子束外延和多种原位分析系统进行集成,解决了在材料生长环节、器件工艺环节以及测试分析过程中由于在样品转移操作所导致的杂质污染等问题,加之其具有可实现原位生长、原位测试等独特优势,因而越来越受到科研人员的青睐。在这类设备中,MBE超高真空薄膜生长室和多种分析仪器超高真空测量腔通过超高真空缓冲腔实现连接,从而实现了在超高真空环境下对人工材料薄膜的原位生长和测量,最大限度得降低了材料表面二次污染所导致的不确定因素。

目前,商业化的原位分析测试仪器的供应商主要有德国SPECS公司和德国Omicron公司,这两个公司的分析测试仪器各有优势,但这两个公司的样品托互不兼容,从而导致了在同一系统中对原位生长的样品进行原位分析测量存在困难。

综上所述,如何提出一种既可以适用于分子束外延生长同时又可适用于不同分析手段的测量的样品托,从而克服现有技术中存在的诸多缺陷,就成为本领域内技术人员所亟待解决的问题。

发明内容

鉴于现有技术存在上述缺陷,本实用新型的目的是提出一种可适用于分子束外延生长及原位表征的样品托,包括一块样品承载板以及两根热电偶引入触点棒,两根所述热电偶引入触点棒均固定设置于所述样品承载板的下端,所述样品承载板上固定设置有样品,所述样品承载板上还设置有两根热电偶丝,两根所述热电偶丝的一端均分别穿入一根所述热电偶引入触点棒内部,两根所述热电偶丝的另一端交叉设置并形成一个触点,所述触点位于所述样品与所述样品承载板之间。

优选地,所述样品承载板为不锈钢板或钼板。

优选地,所述样品承载板上端设置有用于设备机械手抓取的抓手部,所述抓手部与所述样品承载板一体成型,所述抓手部上还开设有一抓取孔,所述抓取孔位于所述样品承载板垂直方向的中轴线上。

优选地,所述样品承载板上还设置有至少两根用于压住所述样品的固定丝,所述固定丝的两端均与所述样品承载板焊接固定,所述样品嵌设固定于所述固定丝与所述样品承载板之间。

优选地,所述样品承载板上设置有两根所述固定丝,两根所述固定丝的两端均与所述样品承载板通过点焊方式固定,所述固定丝为直径为0.05mm的钽丝。

优选地,所述热电偶引入触点棒的主体呈圆柱状结构,所述热电偶引入触点棒的下端部为倒置圆锥状结构,所述热电偶引入触点棒的上端与所述样品承载板的下端固定连接。

优选地,所述热电偶引入触点棒的上端部开设有至少一个中空小孔,两根所述热电偶丝的一端均分别穿入一根所述热电偶引入触点棒上的所述中空小孔内,两根所述热电偶丝的另一端交叉点焊固定。

优选地,所述热电偶丝为K型热电偶丝。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华杨赛斯真空设备有限公司,未经苏州华杨赛斯真空设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920269365.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top