[实用新型]对准标记及半导体结构有效
| 申请号： | 201920295821.0 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN209400858U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准标记 制程 半导体结构 标识图案 第二区域 第一区域 半导体技术领域 验证 对准图案 辨识 产率 衬底 半导体 出错 对准 申请 | ||
1.一种对准标记，其特征在于，所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。
2.根据权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述第二区域环绕所述第一区域设置。
3.根据权利要求1所述的对准标记，其特征在于，所述标识图案包括至少一个标识部，所述标识部在所述第二区域上的正投影为网格状。
4.根据权利要求3所述的对准标记，其特征在于，所述标识部包括呈凹陷状的第一部和呈凸出状的第二部，且所述第一部在所述第二区域上的正投影与所述第二部在所述第二区域上的正投影形成所述网格状。
5.根据权利要求4所述的对准标记，其特征在于，所述第一部在所述第二区域上的正投影和所述第二部在所述第二区域上的正投影均为矩形格，且大小相同。
6.根据权利要求3所述的对准标记，其特征在于，所述标识图案包括多个所述标识部，多个所述标识部中至少两者的形状不同。
7.根据权利要求6所述的对准标记，其特征在于，各所述标识部相邻并间隔设置。
8.根据权利要求3所述的对准标记，其特征在于，所述网格状为九宫格。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
多个如权利要求1至8中任一项所述的对准标记，所述对准标记分别设置在所述半导体衬底上，其中，多个所述对准标记中至少两者的标识图案不同。
10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底包括多个待加工区域和位于相邻所述待加工区域之间的切割道，所述对准标记设置在所述切割道内。
11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述多个对准标记中至少两者的对准图案不同。
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