[实用新型]对准标记及半导体结构

说明书

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记及半导体结构。所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。本方案中，易于辨识此对准标记对应哪道制程工序，从而可提高对准效率，以利于提高产品的产率，此外，还便于后续快速验证此对准标记对应的制程工序是否出错，以提高验证效率。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种对准标记及半导体结构。

背景技术

在半导体芯片制造中，需要通过光刻设备进行多次光刻工序以将不同掩模板上的图案依次转移到在半导体衬底以及半导体衬底的各层膜层上。由于每次光刻工艺之前均需要采用对准标记进行对准，且每次光刻工艺中使用的对准标记可能相同，因此，为了方便判断一对准标记属于哪道工序，目前，通常采用检测对准标记的坐标来判断，这样比较耗时，从而导致对准效率较低，不利于提高产品的产率。此外，在后续验证哪道工序出错时，大大降低了验证效率。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

实用新型内容

本申请的目的在于提供一种对准标记及半导体结构，易于辨识此对准标记对应哪道制程工序，从而可提高对准效率，以利于提高产品的产率，此外，还便于后续快速验证此对准标记对应的制程工序是否出错，以提高验证效率。

本申请第一方面提供了一种对准标记，所述对准标记能够设置在半导体衬底上，且所述对准标记包括第一区域和第二区域，所述第一区域设置有对准图案，所述第二区域设置有标识图案，所述标识图案用于表示所述对准标记所对应的制程工序。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第二区域环绕所述第一区域设置。

在本申请的一种示例性实施例中，所述标识图案包括至少一个标识部，所述标识部在所述第二区域上的正投影为网格状。

在本申请的一种示例性实施例中，所述标识部包括呈凹陷状的第一部和呈凸出状的第二部，且所述第一部在所述第二区域上的正投影与所述第二部在所述第二区域上的正投影形成所述网格状。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一部在所述第二区域上的正投影和所述第二部在所述第二区域上的正投影均为矩形格，且大小相同。

在本申请的一种示例性实施例中，所述标识图案包括多个所述标识部，多个所述标识部中至少两者的形状不同。

在本申请的一种示例性实施例中，各所述标识部相邻并间隔设置。

在本申请的一种示例性实施例中，所述网格状为九宫格。

本申请第二方面提供了一种半导体结构，其包括：

半导体衬底；

多个上述任一项所述的对准标记，所述对准标记分别设置在所述半导体衬底上，其中，多个所述对准标记中至少两者的标识图案不同。

在本申请的一种示例性实施例中，所述半导体衬底包括多个待加工区域和位于相邻所述待加工区域之间的切割道，所述对准标记设置在所述切割道内。

在本申请的一种示例性实施例中，所述多个对准标记中至少两者的对准图案不同。

本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：