[实用新型]一种简易次级电子发射系数测量装置有效
申请号: | 201920319928.4 | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN210269666U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 漆世锴;高阳;曾伟;刘理;查兵 | 申请(专利权)人: | 九江学院 |
主分类号: | G01N23/2204 | 分类号: | G01N23/2204 |
代理公司: | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人: | 谢德珍 |
地址: | 332000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 简易 次级 电子 发射 系数 测量 装置 | ||
一种简易次级电子发射系数测量装置,包括置于真空玻璃壳体内的次级电子收集罩,所述真空玻璃壳体的上端面上设有超高真空接口,超高真空接口的下端设有吸气剂,真空玻璃壳体的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱,所述次级电子收集罩外侧壁上设有固定钽皮,次级电子收集罩上端面上设有孔洞,孔洞上端设有电子发热源,孔洞的正下方位于次级电子收集罩内设有样品台,样品台下端固定有支撑杆,所述电子发热源包括热子,热子上端连接有钨丝,热子下端设有与孔洞处于同一水平高度位置的Ba‑W阴极,所述吸气剂、钨丝、热子、固定钽皮、支撑杆均经多根固定钽杆分别与多根导电芯柱连接。该装置能够对固体良导体的次级电子发射系数进行快速的测量。
技术领域
本实用新型涉及一种简易次级电子发射系数测量装置。
背景技术
具有一定能量或速度的电子、离子等轰击物体表面,引起电子从被轰击物体表面发射出来的现象,我们称为次级电子发射。从物体表面发射出来的电子称为次级电子,次级电子数目与轰击物体表面原电子数目的比值称为次级电子发射系数。根据不同物体具有的次级电子发射系数不同,次级电子发射现象被广泛的应用于光电倍增管、磁控管、行波管收集极等。光电倍增管的倍增极由于具有较大的次级电子发射系数,在次级电子倍增效应作用下,经10个左右倍增极,光电流可放大到100倍以上。目前光电倍增管被广泛的应用于夜视仪、特种电视等领域。若磁控管阴极具有较大的次级电子发射系数,那么在额定输出功率条件下,能够极大的延长磁控管的使用寿命。目前大功率磁控管被广泛的应用微波炉、工业加热、雷达探测等领域。然而,并不是次级电子发射系数越大就越好,在行波管收集极中,次级电子发射系数越小,越能够降低次级电子倍增带来的热效应,从而保证行波管正常工作。综上所述,次级电子发射系数是一项决定器件性能十分重要的参数,因此有必要对次级电子发射系数进行测量。但是,目前高校及研究所等单位所用次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵,结构复杂,测量一次所耗时间较长等缺点。
实用新型内容
本实用新型其目的就在于提供一种简易次级电子发射系数测量装置,解决了现有次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵,结构复杂,测量一次所耗时间较长等缺点。
为实现上述目的而采取的技术方法是,一种简易次级电子发射系数测量装置,包括置于真空玻璃壳体内的次级电子收集罩,所述真空玻璃壳体的上端面上设有超高真空接口,超高真空接口的下端设有吸气剂,真空玻璃壳体的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱,所述次级电子收集罩外侧壁上设有固定钽皮,次级电子收集罩上端面上设有孔洞,孔洞上端设有电子发热源,孔洞的正下方位于次级电子收集罩内设有样品台,样品台下端固定有支撑杆,所述电子发热源包括热子,热子上端连接有钨丝,热子下端设有与孔洞处于同一水平高度位置的Ba-W阴极,所述吸气剂、钨丝、热子、固定钽皮、支撑杆均经多根固定钽杆分别与多根导电芯柱连接。
有益效果
与现有技术相比本实用新型具有以下优点。
本实用新型的优点是,该装置搭建容易,操作简单,而且价格低廉,能够对固体良导体的次级电子发射系数进行快速测量的装置。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步详述。
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型中电子发热源的结构示意图;
图3为本实用新型的等效电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作进一步的说明。
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