[实用新型]一种新型存储模式的eMMC及智能终端有效

专利信息
申请号: 201920341422.3 申请日: 2019-03-18
公开(公告)号: CN209803782U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 易科臣 申请(专利权)人: 深圳康佳电子科技有限公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/38;H04N21/426;H04N21/41
代理公司: 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 模式控制器 本实用新型 存储模式 体内 多层单元闪存 使用寿命 通讯连接 智能终端 传统的 可擦写 数据量 擦写 内置 封装 电视机 替代
【权利要求书】:

1.一种新型存储模式的eMMC,其特征在于,包括:eMMC本体,以及设置在eMMC本体内的:MLC NAND FLASH,以及与所述MLC NAND FLASH通讯连接的用于控制读取MLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器;所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封装在所述eMMC本体内。

2.根据权利要求1所述新型存储模式的eMMC,其特征在于,所述pSLC模式控制器为准单层单元模式的Nand Flash控制装置。

3.根据权利要求1所述新型存储模式的eMMC,其特征在于,所述MLC NAND FLASH为多层单元闪存,内置在eMMC内部。

4.一种智能终端,其特征在于,包括智能终端本体,以及设置在智能终端本体内的:主芯片,与主芯片连接的外围电路,与所述主芯片连连接的显示屏,及与所述主芯片连接的音响设备,以及与所述主芯片连接的新型存储模式的eMMC;所述新型存储模式的eMMC包括:包括eMMC本体,以及设置在eMMC本体内的:MLC NAND FLASH,以及与所述MLC NAND FLASH通讯连接的用于控制读取MLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器;所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封装在所述eMMC本体内。

5.根据权利要求4所述智能终端,其特征在于,所述pSLC模式的eMMC包括:pSLC模式的控制器,以及与pSLC模式的控制器连接的MLC Nand Flash。

6.根据权利要求5所述智能终端,其特征在于,所述pSLC模式控制器为准单层单元模式的Nand Flash控制装置。

7.根据权利要求5所述智能终端,其特征在于,所述MLC NAND FLASH为多层单元闪存,内置在eMMC内部。

8.根据权利要求4所述智能终端,其特征在于,所述智能终端为电视机、机顶盒或电视盒子。

9.根据权利要求5所述智能终端,其特征在于,所述主芯片的芯片型号为RTD2852。

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