[实用新型]一种新型存储模式的eMMC及智能终端

说明书

本实用新型公开了一种新型存储模式的eMMC及智能终端，所述新型存储模式的eMMC包括eMMC本体，以及设置在EMMC本体内的：pSLC模式控制器，以及与所述pSLC模式控制器通讯连接的MLC NAND FLASH（多层单元闪存）；所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封装在所述eMMC本体内。本实用新型采用内置pSLC模式控制器和MLC Nand Flash的eMMC替代传统的普通模式eMMC，在不增加成本的情况下，成倍提升eMMC的可擦写数据量，有效防止eMMC被超额擦写损坏，延长了电视机的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及消费类电子技术领域，尤其涉及的是一种新型存储模式的eMMC及智能终端。

背景技术

通俗的来说，eMMC＝NAND闪存+闪存控制芯片+标准接口封装。目前的电视机广泛使用eMMC(带控制器的存储装置，内嵌存储器)，内置MLC Nand Flash(flash存储器的一种)和控制器，电视机软件会将掉电后仍需保存的信息通过其内置控制器分配存储到MLC NandFlash中。

固态硬盘就是靠NAND Flash闪存芯片存储数据的，这点类似于常见的U盘。NANDFlash根据存储原理分为三种，SLC、MLC、TLC；SLC＝Single-Level Cell，即1bit per cell，1个存储器储存单元可存放1bit的数据，只存在0和1两个充电值。以此类推，TLC ＝Triple-Level Cell，即3bit per cell，1个存储器储存单元可存放3bit的数据。

采用MLC颗粒的Nand Flash的可擦写次数相对较少，通常在5000次左右，仅为 SLC颗粒Nand Flash可擦写次数的1/20，但SLC颗粒Nand Flash的成本是MLC颗粒Nand Flash的3倍，让人望而却步。因此电视机采用内置MLC Nand Flash的eMMC成本虽合理，但因可擦写次数限制，无法将大量用户需要的信息存放到eMMC中，否则将导致 eMMC超额擦写损坏，影响的产品使用寿命。

而随着信息技术的发展，用户需要将越来越多的数据信息存放到eMMC中，实际上也发现售后维修电视机中有不少因eMMC擦写超额导致损坏的情况。

目前的电视机主板上广泛采用内置MLC Nand Flash及普通控制器的eMMC，成本上虽然较SLC Nand Flash有优势，但是其可擦写次数大幅降低，考虑到电视机使用寿命，就需要限制存入eMMC的信息数据量。但是随着网络视频的发展，同时用户时间碎片化，以及用户对视觉美观，智能控制等的需求提升，越来越多的用户使用信息、图片及应用软件等数据被用户不断存入eMMC，这给电视机的使用寿命带来不良影响，还容易导致数据丢失，不方便用户使用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种新型存储模式的eMMC及智能终端，本实用新型增加存储器的使用寿命且不增加成本的产品。采用内置pSLC模式控制器和MLC Nand Flash的eMMC替代传统的普通模式eMMC，在不增加成本的情况下，成倍提升eMMC的可擦写数据量，有效防止eMMC被超额擦写损坏，延长了使用寿命。

本实用新型的技术方案如下：

一种新型存储模式的eMMC，其中，包括：eMMC本体，以及设置在eMMC本体内的： MLCNAND FLASH，以及与所述MLC NAND FLASH通讯连接的用于控制读取MLC NAND FLASH上存储的信息的pSLC模式控制器；所述pSLC模式控制器和MLC NAND FLASH封装在所述EMMC本体内。

所述新型存储模式的eMMC，其中，所述pSLC模式控制器为准单层单元模式的 NandFlash控制装置，可让存储单元被用于存储单个位的模式。