[实用新型]一种记忆体结构

权利要求书

1.一种记忆体结构，其特征在于，包含：

一基板；

一浮栅介电层，位于该基板之上；

一第一浮栅及一第二浮栅，位于该浮栅介电层之上，其中该第一浮栅及该第二浮栅通过一第一凹槽彼此分离，且该第一凹槽具有一第一侧壁；

一第一控制栅极堆叠及一第二控制栅极堆叠，分别位于该第一浮栅及该第二浮栅之上，其中该第一控制栅极堆叠及该第二控制栅极堆叠通过一第二凹槽彼此分离，且该第二凹槽具有一第二侧壁由该第一凹槽的该第一侧壁凹陷；

一选择栅极介电层共形地覆盖该第一凹槽及该第二凹槽；以及

一选择栅极，覆盖该选择栅极介电层，其中该选择栅极具有一底部部分填充于该第一凹槽中，以及一顶部部分填充于该第二凹槽中。

2.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一浮栅及该第二浮栅分别具有一尖端突出于该第一控制栅极堆叠的一侧壁及该第二控制栅极堆叠的一侧壁，且所述尖端朝向该第一凹槽。

3.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该选择栅极的该顶部部分具有一宽度大于该选择栅极的该底部部分的一宽度。

4.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一控制栅极堆叠具有一宽度小于该第一浮栅的一宽度，且该第二控制栅极堆叠具有一宽度小于该第二浮栅的一宽度。

5.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该基板包含多个源极/漏极区域，且该第一浮栅、该第二浮栅及该选择栅极位于两相邻的所述源极/漏极区域之间。

6.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第一控制栅极堆叠包含：

一第一控制栅极介电层，位于该第一浮栅之上；

一第一控制栅极，位于该第一控制栅极介电层之上；

一第一间隔层，位于该第一控制栅极之上；以及

一第一间隙壁，位于该第一浮栅之上，并贴附于该第一控制栅极介电层、该第一控制栅极及该第一间隔层的一共同侧壁，其中该选择栅极介电层覆盖该第一间隙壁。

7.根据权利要求1所述的记忆体结构，其特征在于，该第二控制栅极堆叠包含：

一第二控制栅极介电层，位于该第二浮栅之上；

一第二控制栅极，位于该第二控制栅极介电层之上；

一第二间隔层，位于该第二控制栅极之上；以及

一第二间隙壁，位于该第二浮栅之上，并贴附于该第二控制栅极介电层、该第二控制栅极及该第二间隔层的一共同侧壁，其中该选择栅极介电层覆盖该第二间隙壁。