[实用新型]立式结构的功率模块有效
申请号: | 201920363183.1 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN210092064U | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 张玉琛;曾正;程临颍;熊露婧 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/473;H01L25/18 |
代理公司: | 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 | 代理人: | 孔祥超 |
地址: | 400030 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 结构 功率 模块 | ||
1.一种立式结构的功率模块,其特征在于,包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第一散热块、第二散热块、第三散热块、第一DBC金属绝缘层、第二DBC金属绝缘层、第一散热器以及第二散热器;
第一散热块、第二散热块与第三散热块间隔设置;第一芯片和第三芯片沿长度方向设置于第一散热块与第二散热块之间的间隙内,第二芯片和第四芯片沿长度方向设置于第二散热块与第三散热块之间的间隙内,第一芯片和第二芯片的位置相对应,第三芯片和第四芯片的位置相对应,第一芯片和第二芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片,第三芯片和第四芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片;
第一DBC金属绝缘层和第一散热器依次设置于第一散热块、第二散热块与第三散热块的上侧;第二DBC金属绝缘层和第二散热器依次设置于第一散热块、第二散热块与第三散热块的下侧;所述第一散热块、第二散热块与第三散热块的材质为铜或银。
2.根据权利要求1所述的立式结构的功率模块,其特征在于,还包括第三DBC金属绝缘层与第三散热器;第三DBC金属绝缘层与第三散热器依次设置于第一散热块远离芯片的一侧。
3.根据权利要求2所述的立式结构的功率模块,其特征在于,还包括第四DBC金属绝缘层与第四散热器;第四DBC金属绝缘层与第四散热器依次设置于第三散热块远离芯片的一侧。
4.根据权利要求1所述的立式结构的功率模块,其特征在于,所述第一散热块与所述第二散热块之间的间隔距离为400μm至800μm,所述第二散热块与所述第三散热块之间的间隔距离为400μm至800μm。
5.根据权利要求1所述的立式结构的功率模块,其特征在于,所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔,通孔侧壁覆盖防腐蚀层,通孔内设置有水冷散热器;且所述第一散热器以及第二散热器为水冷散热器。
6.根据权利要求2所述的立式结构的功率模块,其特征在于,所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔,通孔侧壁覆盖防腐蚀层,通孔内设置有水冷散热器;且所述第一散热器、第二散热器以及第三散热器为水冷散热器。
7.根据权利要求3所述的立式结构的功率模块,其特征在于,所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔,通孔侧壁覆盖防腐蚀层,通孔内设置有水冷散热器;且所述第一散热器、第二散热器、第三散热器以及第四散热器为水冷散热器。
8.根据权利要求1所述的立式结构的功率模块,其特征在于,还包括焊料层;第一芯片与第一散热块,第一芯片与第二散热块,第二芯片与第二散热块,第二芯片与第三散热块,第三芯片与第一散热块,第三芯片与第二散热块,第四芯片与第二散热块,第四芯片与第三散热块之间均设有焊料层;第一DBC金属绝缘层与第一散热块、第二散热块以及第三散热块之间设有焊料层;第二DBC金属绝缘层与第一散热块、第二散热块以及第三散热块设有焊料层。
9.根据权利要求1所述的立式结构的功率模块,其特征在于,还包括填充物质,所述填充物质用于填充功率模块内部缝隙。
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