[实用新型]立式结构的功率模块

说明书

本实用新型公开了一种立式结构的功率模块，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第一散热块、第二散热块、第三散热块、第一DBC金属绝缘层、第二DBC金属绝缘层、第一散热器以及第二散热器；第一散热块、第二散热块与第三散热块间隔设置；第一芯片和第三芯片沿长度方向设置于第一散热块与第二散热块之间的间隙内，第二芯片和第四芯片沿长度方向设置于第二散热块与第三散热块之间的间隙内，第一芯片和第二芯片的位置相对应，第三芯片和第四芯片的位置相对应，第一芯片和第二芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片，第三芯片和第四芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片。通过采用立式封装、大体积散热块和多个散热器，提高了散热效率。

技术领域

本实用新型涉及电力电子功率模块领域，具体涉及一种立式结构的功率模块。

背景技术

现市场上较成熟的SiC(碳化硅)功率模块产品多为单面封装，随着电动汽车行业发展，对电力电子功率模块提出了更高的要求，即更轻、更紧凑、更高效、更可靠，而功率模块还要实现低热阻和低寄生电感的要求，双面散热封装就成为了功率模块急需解决的问题。市场上的双面散热功率模块的散热效率不好，功率模块使用时产生的热量不能及时的导出，影响功率模块的性能和使用寿命。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种立式结构的功率模块，增加了散热面积，增大了热容量，在保证较高的功率密度的情况下，提高散热效率。

为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供了以下技术方案：

一种立式结构的功率模块，包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片、第一散热块、第二散热块、第三散热块、第一DBC金属绝缘层、第二DBC金属绝缘层、第一散热器以及第二散热器；

第一散热块、第二散热块与第三散热块间隔设置；第一芯片和第三芯片沿长度方向设置于第一散热块与第二散热块之间的间隙内，第二芯片和第四芯片沿长度方向设置于第二散热块与第三散热块之间的间隙内，第一芯片和第二芯片的位置相对应，第三芯片和第四芯片的位置相对应，第一芯片和第二芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片，第三芯片和第四芯片分别择一对应MOSFET芯片和二极管芯片；

第一DBC金属绝缘层和第一散热器依次设置于第一散热块、第二散热块与第三散热块的上侧；第二DBC金属绝缘层和第二散热器依次设置于第一散热块、第二散热块与第三散热块的下侧。

优选地，所述的立式结构的功率模块，还包括第三DBC金属绝缘层与第三散热器；第三DBC金属绝缘层与第三散热器依次设置于第一散热块远离芯片的一侧。

优选地，所述的立式结构的功率模块，还包括第四DBC金属绝缘层与第四散热器；第四DBC金属绝缘层与第四散热器依次设置于第三散热块远离芯片的一侧。

优选地，所述第一散热块、第二散热块与第三散热块的材质为铜或银。

优选地，所述第一散热块与所述第二散热块之间的间隔距离为400μm至800μm，所述第二散热块与所述第三散热块之间的间隔距离为400μm至800μm。

优选地，所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔，通孔侧壁覆盖防腐蚀层，通孔内设置有水冷散热器；且所述第一散热器以及第二散热器为水冷散热器。

优选地，所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔，通孔侧壁覆盖防腐蚀层，通孔内设置有水冷散热器；且所述第一散热器、第二散热器以及第三散热器为水冷散热器。

优选地，所述第一散热块、第二散热块以及第三散热块设置有多个沿长度方向的通孔，通孔侧壁覆盖防腐蚀层，通孔内设置有水冷散热器；且所述第一散热器、第二散热器、第三散热器以及第四散热器为水冷散热器。