[实用新型]晶圆清洗装置有效
| 申请号： | 201920402742.5 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN209496829U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 崔亚东;陈章晏;颜超仁;卢思源;王永昌 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B08B5/02 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗槽 晶圆 晶圆清洗装置 本实用新型 喷嘴 废气 半导体制造技术 承载 第一排气口 吹扫气体 二次污染 清洗效果 清洗装置 承载面 内侧壁 酸碱性 支撑台 排出 种晶 喷射 垂直 滞留 支撑 | ||
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
清洗槽；
支撑台，位于所述清洗槽内，具有用于承载晶圆的承载面；
喷嘴，在沿垂直于所述承载面的方向上，所述喷嘴设置于所述支撑台上方，用于向所述清洗槽内喷射吹扫气体；
第一排气口，设置于所述清洗槽的内侧壁，用于排出所述清洗槽内的废气。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴的数量为1个，所述第一排气口与所述喷嘴分布于所述支撑台的相对两侧。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述喷嘴的数量为多个，且多个所述喷嘴对称分布于所述支撑台的相对两侧；
所述第一排气口的数量为多个，且多个所述第一排气口对称分布于所述支撑台的相对两侧。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，在沿垂直于所述承载面的方向上，所述第一排气口设置于所述喷嘴下方。
5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
第二排气口，位于所述清洗槽的底面，用于排出所述清洗槽内的废气。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
至少一挡板，倾斜连接于所述清洗槽的内侧壁，且沿垂直于所述承载面的方向设置于所述第一排气口下方，用于将所述废气导向所述第二排气口。
7.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
位于所述清洗槽外部的气液分离器，所述气液分离器与所述第二排气口连通。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
位于所述清洗槽外部到的传输管道，所述传输管道的一端用于与所述第一排气口连通、另一端用于与所述气液分离器连通。
9.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括：
调节阀，连接所述喷嘴，用于调整所述喷嘴喷射所述吹扫气体的流速。
10.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述吹扫气体为惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
