[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。所述晶圆清洗装置包括：清洗槽；支撑台，位于所述清洗槽内，具有用于承载晶圆的承载面；至少一喷嘴，在沿垂直于所述承载面的方向上，所述喷嘴设置于所述支撑台上方，用于向所述清洗槽内喷射吹扫气体；至少一第一排气口，设置于所述清洗槽的内侧壁，用于排出所述清洗槽内的废气。本实用新型避免了酸碱性废气在晶圆上方的滞留，防止了晶圆被二次污染，改善了晶圆的清洗效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

湿法清洗是晶圆制造过程中的一个关键步骤，其一般是采用化学药液和去离子水交替对晶圆表面进行清洗，以去除晶圆表面的污染物，例如颗粒物、有机残留物、金属离子、自然氧化物等。随着对晶圆表面洁净度的要求不断提高，湿法清洗正在由传统的槽式清洗向单片式清洗转变。

目前，当采用单片式清洗装置对晶圆进行清洗的过程中，将晶圆放置在旋转支撑台上，并以预设速度控制支撑台旋转，同时药液喷嘴按照设定的路径向晶圆表面喷射化学药液，清洗过程中产生的酸碱性废气经排出口排出清洗腔体。但是，现有的单片式清洗装置中，排出口设置在清洗腔体的底部，在晶圆上方聚集的酸碱性气体及水汽需要绕过晶圆、沿晶圆与腔体内壁之间的间隙，才能到达所述排出口。这样极易导致废气在晶圆上方滞留，导致晶圆的二次污染，影响晶圆的清洗效果。

因此，如何及时排出清洗腔体中的废气，改善晶圆清洗的效果，是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶圆清洗装置，用于解决现有技术中晶圆清洗效果较差的问题。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种晶圆清洗装置，包括：

清洗槽；

支撑台，位于所述清洗槽内，具有用于承载晶圆的承载面；

至少一喷嘴，在沿垂直于所述承载面的方向上，所述喷嘴设置于所述支撑台上方，用于向所述清洗槽内喷射吹扫气体；

至少一第一排气口，设置于所述清洗槽的内侧壁，用于排出所述清洗槽内的废气。

优选的，所述喷嘴的数量为1个，所述第一排气口与所述喷嘴分布于所述支撑台的相对两侧。

优选的，所述喷嘴的数量为多个，且多个所述喷嘴对称分布于所述支撑台的相对两侧；

所述第一排气口的数量为多个，且多个所述第一排气口对称分布于所述支撑台的相对两侧。

优选的，在沿垂直于所述承载面的方向上，所述第一排气口设置于所述喷嘴下方。

优选的，还包括：

第二排气口，位于所述清洗槽的底面，用于排出所述清洗槽内的废气。

优选的，还包括：

至少一挡板，倾斜连接于所述清洗槽的内侧壁，且沿垂直于所述承载面的方向设置于所述第一排气口下方，用于将所述废气导向所述第二排气口。

优选的，还包括：