[实用新型]半导体蚀刻机的连杆组件的改良结构有效
申请号: | 201920411731.3 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN209785884U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 吴讃昌 | 申请(专利权)人: | 鼎瀚实业有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11139 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨;李林 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 上支架 下支架 限位槽 可弹性伸缩 连杆组件 定位柱 圆弧面 卡榫 半导体蚀刻 本实用新型 表面形成 改良结构 容置空间 使用寿命 延长支架 支架组件 弧型槽 相对面 拆解 容置 磨损 组装 | ||
本实用新型提供一种半导体蚀刻机的连杆组件的改良结构,该连杆组件包含具上支架及下支架的支架组件,该下支架设有定位柱,并于下支架其中二相对面分别形成第一、第二限位槽,且于第二限位槽表面形成可弹性伸缩的圆弧面,而上支架形成供定位柱容置的容置空间,并于上支架对应第一、第二限位槽的端面分别形成第一、第二卡榫,且于第二卡榫形成对应圆弧面的弧型槽,如此,利用可弹性伸缩的圆弧面来避免上支架与下支架因多次拆解或组装动作而造成结构磨损,延长支架组件的使用寿命。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体蚀刻机的连杆组件的改良结构,尤指用于与对称门组接的连杆组件。
背景技术
晶圆为常用的半导体材料,其制程主要系将高纯度硅矿熔解,再于熔液内掺入预先设定的金属物质后拉出硅晶柱,接着,经切片、圆边、研磨、蚀刻、去疵、抛光后构成基本晶圆。而基本晶圆经过清洗并于表面形成二氧化硅层后,凭借光罩处理完成光刻微影制程,接着利用蚀刻、去除光阻与金属蒸发制程以构成具多层电路与元件的晶圆,再经过测试、切割、封装程序进而制成积体电路成品。
以蚀刻制程而言,一般是通过蚀刻机将光阻或遮蔽层上的图案转移至基板薄膜,但经过蚀刻处理后所产生的反应产物通常会沈积于腔室元件,因此,必需经常清理以确保晶圆合格率。以Lam Research Corporation的Kiyo系统而言,其腔室元件包含以平行四边形连杆组件1延伸组接的对称门2结构,请配合参阅图1所示,而对称门2的设置是了维持腔室内温度,减少温度变化与扰流,进而稳定膜厚,使膜厚能分布均匀。而连杆组件1供与对称门2组接,且连杆组件1包含支架组件11以及平行臂12,支架组件11包含对应组接的一上支架111及一下支架112,其中,上支架111供锁固于对称门2,下支架112供锁固于平行臂12,使平行臂12作动同时连动支架组件11让对称门2垂直升降。由于对称门2需经常清洗,而平行臂12乃是清洗时不需拆解的构件,因此,需由支架组件11进行拆解与组装。其中,固定于平行臂12的下支架112设有定位柱1121、凹槽1122及凸块1123(配合参阅图2),且于定位柱1121形成环沟1124以供C型环113设置,位于定位柱1121顶部螺设有用以防止螺设于对称门2的螺固件碰撞的抵挡塞114,而固定于对称门2的上支架111具有一供定位柱1121容置的容置空间1111,并设有分别对应于下支架112凹槽1122与凸块1123的凸柱1112及槽孔1113,使对称门2能凭借将上支架111的凸柱1112容置于下支架112的凹槽1122内完成定位,并利用凸柱1112与凹槽1122构成防呆机制,且凭借将凸块1123迫入槽孔1113的方式组装固定于下支架112,同时,使定位柱1121位于上支架111容置空间1111内,此时,能凭借设于定位柱1121的C型环113贴合于容置空间1111内壁面(配合参阅图3),以防止因上支架111摇晃而造成晶圆损坏。然而,上述现有结构支架组件11虽能便于拆解及组装对称门2,但每次清洗保养都需更换C型环113,以避免C型环113因磨擦变形而造成对称门2摇晃,此外,凸块1123是通过迫入方式固定于槽孔1113,因此,经过多次组装或拆解动作后,可能造成凸块1123或槽孔1113磨损,使上支架111松脱甚至旋转而造成对称门2与腔室外壁磨擦碰撞,破坏晶圆合格率。
实用新型内容
有鉴于现有连杆组件其上支架与下支架的组装结构,容易随拆解次数增加而磨损,且需定期更换C型环耗材,增加维修保养花费,而显然具待改善的缺失。
是以,本实用新型的目的是通过改变上支架与下支架的组装结构,以达成延长产品寿命与减少维修保养花费的功效。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造