[实用新型]一种倒装LED芯片有效
| 申请号： | 201920426879.4 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN209544389U | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光膜层 衬底 孔洞 封装胶水 折射率 倒装LED芯片 本实用新型 荧光粉 芯片 衬底表面 出光效率 发光结构 光折射率 全反射 透光率 溢出 诱导 配合 | ||
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、设置于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的出光膜层、以及设于出光膜层上的荧光粉和封装胶水，其中，封装胶水的折射率＜出光膜层的折射率＜衬底的折射率，所述出光膜层的透光率大于99％，发光结构的出光波长为出光膜层厚度的整数倍。
2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述出光膜层由透光材料制成。
3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述出光膜层为单层或多层结构。
4.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述出光膜层包括依次设于衬底上的第一出光层、第二出光层和第三出光层，其中，封装胶水的折射率＜第三出光层的折射率＜第二出光层的折射率＜第一出光层的折射率＜衬底的折射率。
5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述出光膜层包括依次设于蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、第二Al2O3层和第三Al2O3层，其中，封装胶水的折射率＜第三Al2O3层的折射率＜第二Al2O3层的折射率＜第一Al2O3层的折射率＜衬底的折射率。
6.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述出光膜层包括依次设于蓝宝石衬底上的Al2O3层、SiO2层和MgF2层，其中，封装胶水的折射率＜MgF2层＜SiO2层＜Al2O3层＜衬底的折射率。
7.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述出光膜层上设有孔洞，所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至出光膜层的内部，或者，所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至衬底背面，或者，所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至衬底的表面。
8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、反射层、第一电极和第二电极，所述第一电极设置在第一半导体层上，所述第二电极设置在反射层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司，未经佛山市国星半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920426879.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光二极管的封装结构
- 下一篇：高效抗静电LED
