[实用新型]一种倒装LED芯片有效
申请号: | 201920426879.4 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN209544389U | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 仇美懿;庄家铭 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光膜层 衬底 孔洞 封装胶水 折射率 倒装LED芯片 本实用新型 荧光粉 芯片 衬底表面 出光效率 发光结构 光折射率 全反射 透光率 溢出 诱导 配合 | ||
本实用新型公开了一种倒装LED芯片,包括衬底、设置于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的出光膜层、以及设于出光膜层上的荧光粉和封装胶水,其中,封装胶水的折射率<出光膜层的折射率<衬底的折射率,所述出光膜层的透光率大于90%,所述出光膜层设有多个孔洞。本实用新型通过衬底、出光膜层和封装胶水的相互配合,利用不同光折射率和出光膜层上的孔洞,减少衬底的全反射,将更多的光线诱导到出光膜层上,此外,出光膜层上的孔洞可以让更多的光从出光膜层溢出,增加芯片的出光效率,提高芯片的亮度。
技术领域
本实用新型涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种倒装LED芯片。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点,被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明背光源等相关领域。
倒装LED芯片是近几年来的新型态LED芯片,主要功能在于无封装制程,大幅节省生产效能,可应用在大电流上,更可以实现超微小mini型态的LED芯片。
倒装LED芯片发出的光需要经过反射层反射后再经过衬底出射,在发光效能上,由于二次光学反射的关系,出光效率较低;此外,由于荧光粉和封装胶水涂布在衬底上,容易造成倒装LED芯片出现侧边漏蓝的问题,以及光色度不纯的问题。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种倒装LED芯片,芯片出光效率高,发光角度少。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种倒装LED芯片,包括衬底、设置于衬底表面的发光结构、设于衬底背面的出光膜层、以及设于出光膜层上的荧光粉和封装胶水,其中,封装胶水的折射率<出光膜层的折射率<衬底的折射率,所述出光膜层的透光率大于99%,发光结构的出光波长为出光膜层厚度的整数倍。
作为上述方案的改进,所述出光膜层由透光材料制成。
作为上述方案的改进,所述出光膜层为单层或多层结构。
作为上述方案的改进,所述出光膜层包括依次设于衬底上的第一出光层、第二出光层和第三出光层,其中,封装胶水的折射率<第三出光层的折射率<第二出光层的折射率<第一出光层的折射率<衬底的折射率。
作为上述方案的改进,所述衬底为蓝宝石衬底,所述出光膜层包括依次设于蓝宝石衬底上的第一Al2O3层、第二Al2O3层和第三Al2O3层,其中,封装胶水的折射率<第三Al2O3层的折射率<第二Al2O3层的折射率<第一Al2O3层的折射率<衬底的折射率。
作为上述方案的改进,所述衬底为蓝宝石衬底,所述出光膜层包括依次设于蓝宝石衬底上的Al2O3层、SiO2层和MgF2层,其中,封装胶水的折射率<MgF2层<SiO2层<Al2O3层<衬底的折射率。
作为上述方案的改进,所述出光膜层上设有孔洞,所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至出光膜层的内部,或者,所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至衬底背面,或者,所述孔洞从出光膜层的表面贯穿至衬底的表面。
作为上述方案的改进,所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、反射层、第一电极和第二电极,所述第一电极设置在第一半导体层上,所述第二电极设置在反射层上。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市国星半导体技术有限公司,未经佛山市国星半导体技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920426879.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种发光二极管的封装结构
- 下一篇:高效抗静电LED