[实用新型]半导体元件有效
| 申请号： | 201920429414.4 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN209843698U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李燕华;周云福;王祖江;梁湖勇 | 申请（专利权）人： | 广东百圳君耀电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 引出电极 半导体晶片 接合部 引出部 一体成型 保护层 导电片 弯曲部 半导体产品 半导体元件 背面电极 电极设计 电性连接 正面电极 电极 高功率 折弯脚 包覆 堆叠 贴片 制程 背面 损伤 生产 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包含：
一半导体晶片基体，包含互相堆叠的至少一半导体晶片以及多个导电片，其中所述多个导电片分别与该至少一半导体晶片的一正面电极与一背面电极电性连接；
一第一引出电极，其中该第一引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第一引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一正面；
一第二引出电极，其中该第二引出电极包含一接合部、一引出部、以及连接该接合部与该引出部的一第一弯曲部，该第二引出电极的该接合部叠设在该半导体晶片基体的一背面，其中该第一引出电极与该第二引出电极均为一体成型电极；以及
一保护层，包覆住该半导体晶片基体、该第一引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部、以及该第二引出电极的该接合部与该第一弯曲部及部分的该引出部。
2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一半导体晶片为瞬态抑制二极管、半导体放电管、或静电保护元件。
3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一半导体晶片为一内沟晶片、一外沟晶片、或一平面晶片。
4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，
该第一引出电极还包含一第二弯曲部，其中该第一引出电极的该第一弯曲部与该第二弯曲部分别接合在该第一引出电极的该引出部的相对二端；以及
该第二引出电极还包含一第二弯曲部，其中该第二引出电极的该第一弯曲部与该第二弯曲部分别接合在该第二引出电极的该引出部的相对二端。
5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该第一引出电极的该第二弯曲部的弯曲方向与该第二引出电极的该第二弯曲部的弯曲方向相对。
6.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该第一引出电极的该第二弯曲部的弯曲方向与该第二引出电极的该第二弯曲部的弯曲方向相背。
7.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，该第一引出电极的该第二弯曲部与该第二引出电极的该第二弯曲部的弯曲角度大于0度且小于或等于180度。
8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一引出电极的该第一弯曲部与该第二引出电极的该第一弯曲部的弯曲角度为90度。
9.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一半导体晶片的数量为多个，且所述导电片的数量比所述半导体晶片的数量多一个，所述多个半导体晶片分别介于二相邻的所述导电片之间，且所述多个半导体晶片与所述多个导电片彼此交错排列。
10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该半导体元件还包含一焊料层，其中所述多个导电片透过该焊料层分别与该至少一半导体晶片的该正面电极与该背面电极电性连接，该第一引出电极的该接合部与该第二引出电极的该接合部透过该焊料层而分别于该半导体晶片基体的该正面与该背面电性连接。
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