[实用新型]半导体元件

说明书

一种半导体元件，其包含半导体晶片基体、第一引出电极、第二引出电极、及保护层。半导体晶片基体包含互相堆叠的至少一半导体晶片与数个导电片。这些导电片分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接。第一引出电极与第二引出电极均包含接合部、引出部、及连接接合部与引出部的第一弯曲部。第一引出电极与第二引出电极的接合部分别叠设在半导体晶片基体的正面与背面。第一引出电极与第二引出电极均为一体成型电极。保护层包覆住半导体晶片基体、以及第一引出电极与第二引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部。一体成型电极设计可解决现有的高功率贴片半导体产品在制程生产中折弯脚易损伤的缺陷。

技术领域

本实用新型是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种高功率半导体元件。

背景技术

功率半导体元件一般又称电力电子元件，为一种功率处理的核心元件，可应用在电力设备的电能变换与电路控制上。

传统的高功率半导体元件存在有较大的引线电感，如此增加了回应时间和残压幅值，而降低了电子产品的防护效果。此外，在半导体元件的生产中，折弯的引出电极脚容易产生损伤，造成半导体元件产品的防护能力及可靠性降低。

实用新型内容

本实用新型提出一种半导体元件，以改善习知功率半导体元件的制作技术的不足。

根据本实用新型的上述目的，提出一种半导体元件。此半导体元件包含半导体晶片基体、第一引出电极、第二引出电极、以及保护层。半导体晶片基体包含互相堆叠的至少一半导体晶片以及数个导电片，其中这些导电片分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接。第一引出电极包含接合部、引出部、以及连接接合部与引出部的第一弯曲部，第一引出电极的接合部叠设在半导体晶片基体的正面。第二引出电极包含接合部、引出部、以及连接接合部与引出部的第一弯曲部，第二引出电极的接合部叠设在半导体晶片基体的背面，其中第一引出电极与第二引出电极均为一体成型电极。保护层包覆住半导体晶片基体、第一引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部、以及第二引出电极的接合部与第一弯曲部及部分的引出部。

依据本实用新型的一实施例，上述的半导体晶片为瞬态抑制二极管(transientvoltage suppressor diode)、半导体放电管、或静电保护元件。

依据本实用新型的一实施例，上述的半导体晶片为内沟晶片、外沟晶片、或平面晶片。

依据本实用新型的一实施例，上述的第一引出电极还包含第二弯曲部，其中第一引出电极的第一弯曲部与第二弯曲部分别接合在第一引出电极的引出部的相对二端。另外，上述的第二引出电极还包含第二弯曲部，其中第二引出电极的第一弯曲部与第二弯曲部分别接合在第二引出电极的引出部的相对二端。

依据本实用新型的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部的弯曲方向与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲方向相对。

依据本实用新型的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部的弯曲方向与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲方向相背。

依据本实用新型的一实施例，上述的第一引出电极的第二弯曲部与第二引出电极的第二弯曲部的弯曲角度大于0度且小于或等于180度。

依据本实用新型的一实施例，上述的第一引出电极的第一弯曲部与第二引出电极的第一弯曲部的弯曲角度为约90度。

依据本实用新型的一实施例，上述的半导体晶片的数量为数个，且这些导电片的数量比半导体晶片的数量多一个，这些半导体晶片分别介于二相邻的导电片之间，且这些半导体晶片与导电片彼此交错排列。

依据本实用新型的一实施例，上述的半导体元件还包含焊料层，其中导电片透过此焊料层分别与半导体晶片的正面电极与背面电极电性连接，第一引出电极的接合部与第二引出电极的接合部透过此焊料层而分别于半导体晶片基体的正面与背面电性连接。