[实用新型]管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置有效
申请号: | 201920436266.9 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN209652423U | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 邹海军;吴家宏;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 | 申请(专利权)人: | 常州亿晶光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L31/18 |
代理公司: | 32258 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 朱丽莎<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气缸 拍打 石墨舟 硅片 本实用新型 气缸缓冲器 活塞杆 加工件 复位 挡块 下端 支架 硅胶缓冲垫 活塞杆运动 工艺效率 硅片污染 上限位块 最大行程 缓冲区 良品率 破片率 上端面 管式 两组 种管 指向 伸出 替代 | ||
本实用新型提供了一种管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置,缓冲区对应石墨舟上方固定有支架,拍舟装置包括至少两组连接在支架上的拍打机构;拍打机构包括拍打气缸,拍打气缸的活塞杆向下伸出并指向石墨舟上端面,拍打气缸的活塞杆下端面上固定有附件加工件,附件加工件的下端面上固定有硅胶缓冲垫;拍打气缸的外壳上还固定有气缸缓冲器,拍打气缸的外壳上具有气缸挡块,气缸挡块与气缸缓冲器之间距离为活塞杆运动的最大行程;拍打气缸的外壳上还固定有上限位块。本实用新型提供的管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置,结构设计合理,采用机械替代人工,减少人工损耗,提高工艺效率,同时减少工艺硅片污染,减少硅片破片率并可有效提高硅片良品率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片设计生产技术领域,尤其涉及一种管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置。
背景技术
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。在管式PECVD工艺前后,需要用手拍打石墨舟,使硅片尽量恢复到贴合石墨舟的位置。现有的采用人工拍打石墨舟的方式,在每个石墨舟下舟时都需要进行拍打,所耗人工较多。而采用人工拍打,长期操作,工作人员的手并不能承受这种强度的劳动。而且工艺后石墨舟温度较高,容易烫手,存在安全隐患。当人员穿戴手套进行拍打,拍打手套穿戴不便,既容易造成工艺硅片污染,且污染后的拍打手套也不能继续接触硅片,影响工艺流程。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:为了克服现有技术之不足,本实用新型提供一种采用机械替代人工,减少人工损耗,提高工艺效率,同时减少工艺硅片污染,有效提高硅片良品率的管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置,设置在管式PECVD石墨舟上下舟的缓冲区,所述的缓冲区对应石墨舟上方固定有支架,拍舟装置包括至少两组连接在支架上的拍打机构,所述拍打机构沿石墨舟长度方向均匀间隔分布;所述的拍打机构包括拍打气缸,所述的拍打气缸的活塞杆向下伸出并指向石墨舟上端面,所述拍打气缸的活塞杆下端面上固定有附件加工件,所述附件加工件的下端面上固定有硅胶缓冲垫;所述的拍打气缸的外壳上还固定有气缸缓冲器,所述拍打气缸的外壳上对应气缸缓冲器上方还具有与活塞杆同步运动的气缸挡块,所述气缸挡块与气缸缓冲器之间距离为活塞杆运动的最大行程;所述拍打气缸的外壳对应气缸挡块运动行程最上端还固定有上限位块。
进一步的,所述的支架上还设有可监测石墨舟是否留存在缓冲区内的检测感应器。检测感应器可采用红外感应器,用于检测缓冲区内是否有石墨舟,如果有,可便于将石墨舟信号传递至管式PECVD装置的控制系统,便于控制系统发处指令控制拍舟装置动作,实现自动化拍舟。
优选的,所述的拍打气缸的活塞杆伸缩方向与石墨舟上端面呈垂直设置,气缸挡块的运动方向与活塞杆伸缩方向平行,所述的拍打气缸外壳表面具有供气缸挡块伸出并运动的条型槽,所述气缸缓冲器安装固定在条型槽下方的外壳上,上限位块固定在条型槽上方的外壳上。
在石墨舟上下舟时,当石墨舟位于缓冲区时,可通过拍打机构实现对石墨舟进行多次拍打,有效对石墨舟内的因工艺出现翘曲变形而没有恢复到位的硅片产生振动,使得硅片有效恢复到紧贴石墨舟并稳定在石墨舟卡点上。
本实用新型的有益效果是,本实用新型提供的管式PECVD石墨舟硅片复位拍舟装置,结构设计合理,采用机械替代人工,减少人工损耗,提高工艺效率,同时减少工艺硅片污染,减少硅片破片率并可有效提高硅片良品率。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型最优实施例安装在管式PECVD装置上的结构示意图。
图2是图1的俯视图。
图3是图1中A处的放大示意图。
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