[实用新型]一种光电转换效率高的MWT太阳能电池有效
申请号: | 201920449170.6 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN209766435U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 袁琦凇;刘涛;任柯杰;罗大伟 | 申请(专利权)人: | 成都理工大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054 |
代理公司: | 42254 武汉经世知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 彭成 |
地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池片 钝化层 聚光层 光电转换效率 本实用新型 背面电极 抗反射层 正面电极 太阳能电池技术 蚀刻 光线利用率 全反射方式 太阳能电池 光电转换 集中照射 光斑 凹凸型 粗糙化 受光面 导出 聚光 反射 近似 配合 扩散 传播 吸收 | ||
1.一种光电转换效率高的MWT太阳能电池,包括太阳能电池片(1),分设于所述太阳能电池片(1)受光面和背光面的正面电极(2)和背面电极(3),其特征在于,所述太阳能电池片(1)的受光面设有钝化层(5),所述钝化层(5)经过粗糙化蚀刻形成凹凸型的表面,所述钝化层(5)和太阳能电池片(1)之间还设有聚光层(6),所述聚光层(6)聚光形成光斑于太阳能电池片(1)。
2.如权利要求1所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述聚光层(6)由菲涅尔透镜制成。
3.如权利要求1所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,还包含抗反射层(8),所述抗反射层(8)被覆钝化层(5)的下表面。
4.如权利要求3所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(8)的厚度为10~30nm。
5.如权利要求3所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(8)可由氮化硅、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化锡或二氧化镁材料中的一种制成。
6.如权利要求3所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述抗反射层(8)与钝化层(5)之间设有光转换层(9),由下转换发光材料制成。
7.如权利要求6所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述光转换层(9)的厚度为5~20nm。
8.如权利要求1所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池片(1)上开设有垂直贯穿所述太阳能电池片(1)的多个通孔,所述通孔内设有过孔电极(4),所述过孔电极(4)电连接所述正面电极(2)。
9.如权利要求1所述的光电转换效率高的MWT太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池片(1)包括射极层(11)和半导体基板(12),所述射极层(11)位于所述半导体基板(12)内且靠近受光面,且在半导体基板(12)与射极层(11)之间形成p-n结。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都理工大学,未经成都理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920449170.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纳米线三维结构的太阳能电池
- 下一篇:一种新能源电池导电膜
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的