[实用新型]一种光电转换效率高的MWT太阳能电池有效
申请号: | 201920449170.6 | 申请日: | 2019-04-03 |
公开(公告)号: | CN209766435U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 袁琦凇;刘涛;任柯杰;罗大伟 | 申请(专利权)人: | 成都理工大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054 |
代理公司: | 42254 武汉经世知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 彭成 |
地址: | 610000 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池片 钝化层 聚光层 光电转换效率 本实用新型 背面电极 抗反射层 正面电极 太阳能电池技术 蚀刻 光线利用率 全反射方式 太阳能电池 光电转换 集中照射 光斑 凹凸型 粗糙化 受光面 导出 聚光 反射 近似 配合 扩散 传播 吸收 | ||
本实用新型公开了一种光电转换效率高的MWT太阳能电池,属于太阳能电池技术领域,具体包括:太阳能电池片、正面电极和背面电极,所述太阳能电池片的受光面设有钝化层,所述钝化层经过粗糙化蚀刻形成凹凸型的表面,所述钝化层和太阳能电池片之间还设有聚光层,所述聚光层聚光形成光斑于太阳能电池片。本实用新型通过钝化层、抗反射层和聚光层的配合作用,钝化层使光线依近似全反射方式在太阳能电池片内扩散及传播,不同角度注入的光由抗反射层反射至聚光层,配合聚光层的的角度及形状,最后被集中照射至太阳能电池片,经其吸收并进行光电转换,产生的电流借由正面电极和背面电极导出,光线利用率高,光电转换效率强。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,特别涉及一种光电转换效率高的MWT太阳能电池。
背景技术
硅基太阳能电池是目前最常见的一种太阳能电池,其原理是:在高纯度的半导体材料(硅)加入加入掺杂物使其呈现不同的性质,以形成p型半导体及n型半导体,并将p型半导体与n型半导体相接合,形成一p-n结,在p-n结上存在着一个内建电位,可驱动在此区域中的可移动载流子。当太阳光照射到一个pn结构的半导体时,光子所提供的能量会把半导体中的电子激发出来并产生电子-空穴对,被激发出来的自由电子与空穴会受到内建电位的影响,使空穴往p型半导体方向移动,而自由电子则往n型半导体方向移动,若将两电极分别连接p型与n型半导体,并连接至外部电路及负载,便会有电流通过,即可构成太阳能电池。传统的太阳能电池的正极、负极是分别位于电池片的受光面和背光面。而位于电池片正面的电极会对受光面造成遮挡,减小了受光面积,影响太阳能电池的光电转换效率。
金属过孔硅太阳能电池(Metal Wrap Through Silicon Solar Cell,MWT)解决了传统太阳能电池受光面被遮挡的问题。中国专利号CN201220316211.2公开了一种MWT太阳能电池,包括太阳能电池片,正面电极、正面电极接触点、背面电极;垂直贯穿所述太阳能电池片的多个导电通孔,所述导电通孔内设置有过孔电极,所述过孔电极连接所述正面电极和正面电极接触点,在受光面通过面积较小的正面电极实现过孔电极之间的耦合,减小对受光面的遮挡,但是太阳能电池片为平整的表面,外界光线不易被保留于太阳能电池内,会导致太阳能电池的入射光量以及后续的光吸收量少,进而降低太阳能电池的光电转换效率,且当外部光线入射角度改变,致使太阳能电池未正对入射光时,太阳能电池有可能无法接受到入射光,造成太阳能电池的光线利用率不佳;其次,能够转换的光电能有限,无法利用太阳光波长以外的光线,使得太阳能电池的光电转换效率的受到了相当程度的限制。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种光电转换效率高的MWT太阳能电池,通过钝化层、抗反射层和聚光层的配合作用,钝化层使光线依近似全反射方式在太阳能电池片内扩散及传播,不同角度注入的光由抗反射层反射至聚光层,配合聚光层的的角度及形状,最后被集中照射至太阳能电池片,经其吸收并进行光电转换,产生的电流借由正面电极和背面电极导出,光线利用率高,光电转换效率强。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
光电转换效率高的MWT太阳能电池,包括太阳能电池片,分设于所述太阳能电池片受光面和背光面的正面电极和背面电极,所述太阳能电池片的受光面设有钝化层,所述钝化层经过粗糙化蚀刻形成凹凸型的表面,所述钝化层和太阳能电池片之间还设有聚光层,所述聚光层聚光形成光斑于太阳能电池片。
进一步的,所述聚光层由菲涅尔透镜制成。
进一步的,还包含抗反射层,所述抗反射层被覆钝化层的下表面。
进一步的,所述抗反射层的厚度为10~30nm。
进一步的,所述抗反射层可由氮化硅、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、氧化锡或二氧化镁材料中的一种制成。
进一步的,所述抗反射层与钝化层之间设有光转换层,由下转换发光材料制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的