[实用新型]可降低正向导通压降的肖特基二极管有效

专利信息
申请号: 201920454348.6 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN209471973U 公开(公告)日: 2019-10-08
发明(设计)人: 王志强 申请(专利权)人: 深圳市和芯电子有限公司
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L23/48;H01L23/367;H01L23/544
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 518000 广东省深圳市宝安区松岗街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 肖特基二极管 正极引脚 二极管主体 正向压降 导热层 散热板 正向导通压降 本实用新型 负极引脚 一端连接 导电材料 导热硅脂 二氧化硅 散热铝片 外侧设置 温升变化 线性变化 连接片
【说明书】:

本实用新型公开了一种可降低正向导通压降的肖特基二极管,属于肖特基二极管领域,包括二极管主体,所述二极管主体的外侧连接有散热板,且散热板的外侧连接由散热铝片,所述散热板的内侧设置有导热硅脂,所述二极管主体的一端连接有正极引脚,且正极引脚的外侧设置有导热层,所述正极引脚的一端连接有第一连接片。本实用新型通过设置的导热层、正极引脚和负极引脚实现了导热层外侧的二氧化硅为很好的导电材料,所以使得正极引脚和负极引脚的温度升高,从而根据正向压降与温升变化是呈线性变化的关系可以使得肖特基二极管的正向压降降低,将正向压降控制在一个较低的范围内,使得肖特基二极管可以运行更加流畅。

技术领域

本实用新型涉及肖特基二极管领域,具体为一种可降低正向导通压降的肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士命名的,SBD是肖特基势垒二极管的简称,SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的,因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。

现有的肖特基二极管正向导通压降浮动较大,无法将正向导通压降控制在一个较低的水平,但是经过试验研究证明肖特基二极管的正向压降与温度有关,正向压降与温升变化是呈线性变化的关系,当肖特基二极管正向压降变小时引脚温度一定升高,现有的肖特基二极管的散热情况不理想,散热效果差,而且现有的肖特基二极管连接不便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:为了解决现有的肖特基二极管无法将正向导通压降控制在一个较低的水平和现有的肖特基二极管的散热情况不理想,散热效果差、连接不便的问题,提供一种可降低正向导通压降的肖特基二极管。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种可降低正向导通压降的肖特基二极管,包括二极管主体,所述二极管主体的外侧连接有散热板,且散热板的外侧连接由散热铝片,所述散热板的内侧设置有导热硅脂,所述二极管主体的一端连接有正极引脚,且正极引脚的外侧设置有导热层,所述正极引脚的一端连接有第一连接片,所述二极管主体远离正极引脚的一端连接有负极引脚,且负极引脚的外侧连接有标志圈。

优选地,所述二极管主体的一侧印刷有标签,且标签与二极管主体固定连接,所述二极管主体为圆柱体结构。

优选地,所述散热板的横截面为半弧形结构,且散热板由金属材质构成,所述散热板与散热铝片固定连接,且散热铝片的数量为多组,多组所述散热铝片等距分布在散热板的外侧。

优选地,所述导热层的外侧设置有二氧化硅涂层,所述负极引脚的外侧设置有导热层,且负极引脚与导热层固定连接。

优选地,所述标志圈为聚乙烯材质构成,且标志圈与负极引脚套接连接。

优选地,所述负极引脚的一端连接有第二连接片,且第二连接片与第一连接片结构相同,所述第一连接片和第二连接片皆由金属材质构成。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置的导热层、正极引脚和负极引脚实现了导热层外侧的二氧化硅为很好的导电材料,所以使得正极引脚和负极引脚的温度升高,从而根据正向压降与温升变化是呈线性变化的关系可以使得肖特基二极管的正向压降降低,将正向压降控制在一个较低的范围内,使得肖特基二极管可以运行更加流畅,还通过设置的散热板、散热铝片和导热硅脂,实现了散热板和散热铝片可以将从导热硅脂接受到的热量进行散发,使得二极管主体温度降低,从而避免温度过高使得二极管损坏的问题,通过设置的第一连接片和第二连接片,实现了在将肖特基二极管与电路板进行连接时,可以通过将两组连接片焊接在电路板上从而将二极管进行安装,扩大了二极管与电路板的接触面积,使得焊接工人更加方便操作,降低操作难度。

附图说明

图1为本实用新型的正视图;

图2为本实用新型的结构示意图;

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